IRFB4615PBF
Код товару: 99481
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 35 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 32 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1750/26
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB4615PBF за ціною від 51.71 грн до 179.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4615PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4615PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4615PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4615PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4615PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4615PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 35A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4615PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 578119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4615PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4615PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4615PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4615PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFB4615PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC Qg |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFB4615PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFB4615PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 53.05 грн |
| 2000+ | 52.52 грн |
| IRFB4615PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 53.05 грн |
| 2000+ | 52.52 грн |
| IRFB4615PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 60.93 грн |
| IRFB4615PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 64.32 грн |
| IRFB4615PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 176+ | 80.82 грн |
| IRFB4615PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 82.33 грн |
| 10+ | 71.46 грн |
| 20+ | 69.80 грн |
| 50+ | 66.48 грн |
| IRFB4615PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 578119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 380+ | 93.41 грн |
| 500+ | 84.07 грн |
| 1000+ | 77.54 грн |
| 10000+ | 66.66 грн |
| 100000+ | 51.71 грн |
| IRFB4615PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 146.78 грн |
| IRFB4615PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 85+ | 168.62 грн |
| 220+ | 64.70 грн |
| IRFB4615PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 79+ | 179.60 грн |
| 83+ | 172.76 грн |
| 100+ | 166.90 грн |
| 250+ | 156.05 грн |
| 500+ | 140.56 грн |
| 1000+ | 131.64 грн |
| IRFB4615PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
Description: INFINEON - IRFB4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFB4615PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC Qg
MOSFETs MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC Qg
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFB4615PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







