IRFB4615PBF Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 42.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4615PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 144W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFB4615PBF за ціною від 51 грн до 149.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB4615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1222000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4615PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 35A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V |
на замовлення 2078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC Qg |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4615PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 35A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4615PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm |
на замовлення 1138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4615PBF Код товару: 99481 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 150 V Idd,A: 35 A Rds(on), Ohm: 32 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1750/26 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
IRFB4615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFB4615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |