IRFB4620PBF
Код товару: 52030
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 25 A
Rds(on), Ohm: 0,60 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB4620PBF за ціною від 54.41 грн до 244.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4620PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4620PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 205189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4620PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4620PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4620PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4620PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm |
на замовлення 1052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFB4620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 130+ | 109.34 грн |
| 132+ | 107.45 грн |
| 500+ | 92.90 грн |
| 1000+ | 76.97 грн |
| IRFB4620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 205189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 268+ | 132.01 грн |
| 500+ | 119.04 грн |
| 1000+ | 109.56 грн |
| 10000+ | 94.20 грн |
| 100000+ | 73.07 грн |
| IRFB4620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg
MOSFETs MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.32 грн |
| 10+ | 80.97 грн |
| 100+ | 69.78 грн |
| 500+ | 61.25 грн |
| 1000+ | 56.53 грн |
| 2000+ | 54.41 грн |
| IRFB4620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 189.25 грн |
| 10+ | 109.36 грн |
| 100+ | 107.48 грн |
| 500+ | 89.60 грн |
| 1000+ | 71.28 грн |
| IRFB4620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 233.91 грн |
| 50+ | 111.30 грн |
| 100+ | 100.21 грн |
| 500+ | 75.81 грн |
| 1000+ | 69.95 грн |
| IRFB4620PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 244.22 грн |
| 10+ | 227.78 грн |
| 100+ | 108.54 грн |
| 500+ | 81.70 грн |
| 1000+ | 69.43 грн |






