IRFB4620PBF

IRFB4620PBF Infineon Technologies


infineon-irfb4620-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+61.13 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4620PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFB4620PBF за ціною від 46.50 грн до 214.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 199000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+71.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
160+76.19 грн
161+75.63 грн
500+72.85 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+89.65 грн
140+87.52 грн
500+76.47 грн
1000+68.46 грн
2000+56.47 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+95.44 грн
10+71.65 грн
100+69.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
268+113.60 грн
500+102.44 грн
1000+94.07 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+138.57 грн
10+84.70 грн
100+81.60 грн
500+67.76 грн
1000+57.69 грн
2000+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Виробник : Infineon Technologies irfb4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616630a1e44 Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.12 грн
50+91.82 грн
100+86.98 грн
500+66.07 грн
1000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+195.94 грн
10+102.09 грн
100+92.21 грн
500+70.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFB4620_DataSheet_v01_01_EN-3363050.pdf MOSFETs MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.06 грн
10+107.19 грн
100+83.67 грн
500+67.37 грн
1000+62.09 грн
2000+59.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF
Код товару: 52030
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irfb4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616630a1e44 Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 25 A
Rds(on), Ohm: 0,60 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A7DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4620pbf.pdf?ci_sign=42d0628fba08e7dbecd4a027551ca7bbbb81baaf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
On-state resistance: 72.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 144W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A7DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4620pbf.pdf?ci_sign=42d0628fba08e7dbecd4a027551ca7bbbb81baaf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
On-state resistance: 72.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 144W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Case: TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.