Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB4620PBF
IRFB4620PBF

IRFB4620PBF

irfb4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616630a1e44
Код товару: 52030
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 25 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,60 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1710/25
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4620PBF за ціною від 59.39 грн до 284.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.81 грн
50+105.74 грн
100+105.08 грн
500+88.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+106.81 грн
133+105.74 грн
134+105.08 грн
500+88.32 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+107.65 грн
132+106.57 грн
133+105.80 грн
500+88.23 грн
1000+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 205189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+131.12 грн
500+118.25 грн
1000+108.83 грн
10000+93.57 грн
100000+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4620pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+149.89 грн
10+125.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies irfb4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616630a1e44 Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.36 грн
50+94.57 грн
100+85.14 грн
500+64.38 грн
1000+59.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.49 грн
50+140.61 грн
100+126.63 грн
500+98.42 грн
1000+84.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF INFINEON INFN-S-A0012838264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB4620_DataSheet_v01_01_EN-3363050.pdf MOSFETs MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf
IRFB4620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+106.81 грн
50+105.74 грн
100+105.08 грн
500+88.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf
IRFB4620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
132+106.81 грн
133+105.74 грн
134+105.08 грн
500+88.32 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf
IRFB4620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
131+107.65 грн
132+106.57 грн
133+105.80 грн
500+88.23 грн
1000+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf
IRFB4620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 205189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
268+131.12 грн
500+118.25 грн
1000+108.83 грн
10000+93.57 грн
100000+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF irfb4620pbf.pdf
IRFB4620PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.89 грн
10+125.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF irfb4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616630a1e44
IRFB4620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.36 грн
50+94.57 грн
100+85.14 грн
500+64.38 грн
1000+59.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf
IRFB4620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+284.49 грн
50+140.61 грн
100+126.63 грн
500+98.42 грн
1000+84.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF INFN-S-A0012838264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4620PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF Infineon_IRFB4620_DataSheet_v01_01_EN-3363050.pdf
IRFB4620PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.