IRFB4620PBF
Код товару: 52030
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 25 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,60 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1710/25
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB4620PBF за ціною від 56.46 грн до 36358.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4620PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4620PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 205189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4620PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg |
на замовлення 108 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4620PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 285 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4620PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
на замовлення 548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4620PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4620PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4620PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4620PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4620PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB4620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 129+ | 110.57 грн |
| IRFB4620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 205189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 271+ | 131.70 грн |
| 500+ | 118.54 грн |
| 1000+ | 109.31 грн |
| 10000+ | 93.98 грн |
| 100000+ | 72.91 грн |
| IRFB4620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg
MOSFETs MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg
на замовлення 108 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 142.49 грн |
| 10+ | 84.02 грн |
| 100+ | 72.40 грн |
| 500+ | 63.55 грн |
| 1000+ | 58.65 грн |
| 2000+ | 56.46 грн |
| IRFB4620PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 150.20 грн |
| 10+ | 125.44 грн |
| IRFB4620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 199.77 грн |
| 10+ | 124.26 грн |
| 50+ | 94.92 грн |
| 100+ | 80.20 грн |
| 500+ | 64.62 грн |
| IRFB4620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 250.72 грн |
| 10+ | 171.39 грн |
| 50+ | 122.45 грн |
| 100+ | 115.95 грн |
| 500+ | 82.71 грн |
| IRFB4620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 250.72 грн |
| 84+ | 171.39 грн |
| 117+ | 122.45 грн |
| 119+ | 115.95 грн |
| 500+ | 82.71 грн |
| IRFB4620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 293.42 грн |
| 10+ | 189.58 грн |
| 50+ | 144.78 грн |
| 100+ | 125.69 грн |
| 500+ | 93.78 грн |
| IRFB4620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 36358.16 грн |
| 250+ | 35835.15 грн |
| IRFB4620PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







