IRFB52N15DPBF Infineon Technologies
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 71.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB52N15DPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFB52N15DPBF за ціною від 75.25 грн до 264.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF Код товару: 59925
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC |
на замовлення 1119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 51A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V |
на замовлення 9410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 60A Power dissipation: 320W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 60A Power dissipation: 320W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |






