Інші пропозиції IRFB52N15DPBF за ціною від 75.59 грн до 316.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 60A Power dissipation: 320W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 190 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC |
на замовлення 1824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 51A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V |
на замовлення 9341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFB52N15DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 239+ | 148.18 грн |
| 500+ | 141.12 грн |
| 1000+ | 132.89 грн |
| 10000+ | 120.20 грн |
| IRFB52N15DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 239+ | 148.18 грн |
| 500+ | 141.12 грн |
| 1000+ | 132.89 грн |
| IRFB52N15DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 239+ | 148.18 грн |
| 500+ | 141.12 грн |
| 1000+ | 132.89 грн |
| IRFB52N15DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 239+ | 148.18 грн |
| 500+ | 141.12 грн |
| 1000+ | 132.89 грн |
| IRFB52N15DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 92+ | 154.55 грн |
| 95+ | 148.67 грн |
| 100+ | 143.62 грн |
| 250+ | 134.29 грн |
| 500+ | 120.96 грн |
| 1000+ | 113.28 грн |
| 2500+ | 110.78 грн |
| IRFB52N15DPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 161.36 грн |
| 5+ | 122.74 грн |
| 10+ | 110.89 грн |
| 25+ | 96.50 грн |
| 50+ | 89.73 грн |
| 100+ | 86.34 грн |
| IRFB52N15DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC
MOSFETs MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 240.40 грн |
| 10+ | 130.21 грн |
| 100+ | 102.68 грн |
| 500+ | 87.91 грн |
| IRFB52N15DPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 240.40 грн |
| 10+ | 132.09 грн |
| 100+ | 119.79 грн |
| 500+ | 87.61 грн |
| 1000+ | 79.47 грн |
| IRFB52N15DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
на замовлення 9341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 273.74 грн |
| 50+ | 133.55 грн |
| 100+ | 120.97 грн |
| 500+ | 92.83 грн |
| 1000+ | 86.18 грн |
| 2000+ | 80.59 грн |
| 5000+ | 75.59 грн |
| IRFB52N15DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 279.30 грн |
| 10+ | 166.14 грн |
| 100+ | 140.26 грн |
| IRFB52N15DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 51+ | 279.30 грн |
| 85+ | 166.14 грн |
| 101+ | 140.26 грн |
| IRFB52N15DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 316.43 грн |
| 80+ | 176.94 грн |
| 100+ | 147.36 грн |
| 500+ | 116.28 грн |
| IRFB52N15DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 316.83 грн |
| 10+ | 177.16 грн |
| 100+ | 147.55 грн |
| 500+ | 116.43 грн |
| IRFB52N15DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








