IRFB5615PBF Infineon Technologies
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB5615PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB5615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFB5615PBF за ціною від 49.09 грн до 155.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB5615PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 35A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB5615PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 35A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB5615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB5615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB5615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB5615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB5615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB5615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB5615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB5615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB5615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC |
на замовлення 3846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB5615PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB5615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB5615PBF Код товару: 118300 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
| IRFB5615PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |