Інші пропозиції IRFB5615PBF за ціною від 31.86 грн до 203.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB5615PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB5615PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB5615PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC |
на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB5615PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V |
на замовлення 1278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB5615PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB5615PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB5615PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB5615PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFB5615PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 147+ | 96.30 грн |
| 202+ | 70.32 грн |
| 500+ | 58.11 грн |
| IRFB5615PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 131+ | 108.09 грн |
| 186+ | 76.05 грн |
| 500+ | 61.79 грн |
| 1000+ | 52.50 грн |
| IRFB5615PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
MOSFETs Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.70 грн |
| 10+ | 52.93 грн |
| 100+ | 37.57 грн |
| 500+ | 36.23 грн |
| 1000+ | 34.33 грн |
| 5000+ | 31.86 грн |
| IRFB5615PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.21 грн |
| 10+ | 81.47 грн |
| 100+ | 54.95 грн |
| 500+ | 40.90 грн |
| 1000+ | 37.47 грн |
| IRFB5615PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 145.40 грн |
| 10+ | 96.30 грн |
| 100+ | 70.32 грн |
| 500+ | 56.04 грн |
| IRFB5615PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 175.82 грн |
| 10+ | 108.12 грн |
| 100+ | 76.07 грн |
| 500+ | 59.60 грн |
| 1000+ | 48.62 грн |
| 2000+ | 41.76 грн |
| IRFB5615PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 203.50 грн |
| 73+ | 195.75 грн |
| 100+ | 189.11 грн |
| 250+ | 176.82 грн |
| 500+ | 159.27 грн |
| 1000+ | 149.15 грн |
| IRFB5615PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 203.50 грн |
| 73+ | 195.75 грн |
| 100+ | 189.11 грн |
| 250+ | 176.82 грн |
| 500+ | 159.27 грн |






