Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB5615PBF
IRFB5615PBF

IRFB5615PBF

infineon-irfb5615pbf-datasheet-en.pdf
Код товару: 118300
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB5615PBF за ціною від 50.56 грн до 195.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+98.52 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+121.44 грн
174+84.38 грн
500+68.95 грн
1000+59.32 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+126.67 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb5615pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+139.84 грн
5+113.94 грн
10+103.05 грн
16+61.16 грн
44+57.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+175.09 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB5615_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
на замовлення 669 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+183.62 грн
10+93.91 грн
100+70.90 грн
500+58.58 грн
1000+52.49 грн
2000+50.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.81 грн
10+121.80 грн
100+84.63 грн
500+66.68 грн
1000+55.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineon-irfb5615pbf-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.40 грн
10+119.74 грн
50+91.32 грн
100+77.08 грн
500+61.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+195.17 грн
78+187.74 грн
100+181.37 грн
250+169.58 грн
500+152.75 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+195.17 грн
78+187.74 грн
100+181.37 грн
250+169.58 грн
500+152.75 грн
1000+143.05 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF INFINEON INFN-S-A0012838654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB5615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+98.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
149+98.52 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
121+121.44 грн
174+84.38 грн
500+68.95 грн
1000+59.32 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
289+126.67 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF irfb5615pbf.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+139.84 грн
5+113.94 грн
10+103.05 грн
16+61.16 грн
44+57.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+175.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+175.09 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF Infineon_IRFB5615_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
на замовлення 669 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.62 грн
10+93.91 грн
100+70.90 грн
500+58.58 грн
1000+52.49 грн
2000+50.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+189.81 грн
10+121.80 грн
100+84.63 грн
500+66.68 грн
1000+55.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF infineon-irfb5615pbf-datasheet-en.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+193.40 грн
10+119.74 грн
50+91.32 грн
100+77.08 грн
500+61.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+195.17 грн
78+187.74 грн
100+181.37 грн
250+169.58 грн
500+152.75 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+195.17 грн
78+187.74 грн
100+181.37 грн
250+169.58 грн
500+152.75 грн
1000+143.05 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF INFN-S-A0012838654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB5615PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB5615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.