Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB5615PBF
IRFB5615PBF

IRFB5615PBF

irfb5615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561674e71e48
Код товару: 118300
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB5615PBF за ціною від 36.37 грн до 187.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.57 грн
214+65.95 грн
500+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.84 грн
10+86.57 грн
100+65.95 грн
500+53.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies irfb5615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561674e71e48 Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.31 грн
10+79.09 грн
100+53.34 грн
500+39.70 грн
1000+36.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb5615pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+131.27 грн
5+88.95 грн
10+80.71 грн
25+70.00 грн
50+63.42 грн
100+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+160.49 грн
10+103.24 грн
100+74.53 грн
500+58.83 грн
1000+52.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+161.59 грн
136+103.96 грн
188+75.05 грн
500+59.24 грн
1000+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+180.45 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+187.60 грн
78+180.45 грн
100+174.33 грн
250+163.00 грн
500+146.83 грн
1000+137.50 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB5615_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF INFINEON INFN-S-A0012838654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB5615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+86.57 грн
214+65.95 грн
500+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+121.84 грн
10+86.57 грн
100+65.95 грн
500+53.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF irfb5615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561674e71e48
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.31 грн
10+79.09 грн
100+53.34 грн
500+39.70 грн
1000+36.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF irfb5615pbf.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+131.27 грн
5+88.95 грн
10+80.71 грн
25+70.00 грн
50+63.42 грн
100+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+160.49 грн
10+103.24 грн
100+74.53 грн
500+58.83 грн
1000+52.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+161.59 грн
136+103.96 грн
188+75.05 грн
500+59.24 грн
1000+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
78+180.45 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+187.60 грн
78+180.45 грн
100+174.33 грн
250+163.00 грн
500+146.83 грн
1000+137.50 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF Infineon_IRFB5615_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF INFN-S-A0012838654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB5615PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB5615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.