Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB5615PBF
IRFB5615PBF

IRFB5615PBF Infineon Technologies

infineon-irfb5615-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB5615PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB5615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFB5615PBF за ціною від 34.43 грн до 175.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
186+65.63 грн
240+51.03 грн
500+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 186
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A92F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5615pbf.pdf?ci_sign=80600ca67fd3aa93379833fd484c2b89c0c90b93 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.35 грн
5+82.51 грн
10+69.02 грн
17+57.92 грн
45+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB5615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.47 грн
15+57.07 грн
100+48.36 грн
500+42.68 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+126.08 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Виробник : Infineon Technologies irfb5615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561674e71e48 Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.00 грн
10+54.19 грн
100+42.76 грн
500+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFB5615-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.51 грн
10+57.20 грн
100+40.60 грн
500+39.15 грн
1000+37.09 грн
5000+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A92F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5615pbf.pdf?ci_sign=80600ca67fd3aa93379833fd484c2b89c0c90b93 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.41 грн
5+102.82 грн
10+82.83 грн
17+69.50 грн
45+65.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+153.65 грн
10+70.39 грн
100+54.74 грн
500+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+175.55 грн
73+168.86 грн
100+163.14 грн
250+152.53 грн
500+137.39 грн
1000+128.67 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+175.55 грн
73+168.86 грн
100+163.14 грн
250+152.53 грн
500+137.39 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF
Код товару: 118300
Додати до обраних Обраний товар

irfb5615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561674e71e48 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb5615-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.