Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB5615PBFXKMA1

IRFB5615PBFXKMA1 Infineon Technologies

infineon-irf7495-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a40153561674e71e48
Виробник: Infineon Technologies
IRFB5615PBFXKMA1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+96.01 грн
50+94.73 грн
100+84.15 грн
500+65.24 грн
1000+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB5615PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB5615PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 144W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm.

Інші пропозиції IRFB5615PBFXKMA1 за ціною від 54.85 грн до 110.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB5615PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irf7495-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a40153561674e71e48 IRFB5615PBFXKMA1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+96.01 грн
150+94.73 грн
169+84.15 грн
500+65.24 грн
1000+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irf7495-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a40153561674e71e48 IRFB5615PBFXKMA1
на замовлення 268000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+110.91 грн
500+99.82 грн
1000+92.06 грн
10000+79.14 грн
100000+61.40 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFB5615_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFXKMA1 INFINEON infineon-irfb5615-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRFB5615PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFXKMA1 infineon-irf7495-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a40153561674e71e48
Виробник: Infineon Technologies
IRFB5615PBFXKMA1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
148+96.01 грн
150+94.73 грн
169+84.15 грн
500+65.24 грн
1000+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFXKMA1 infineon-irf7495-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a40153561674e71e48
Виробник: Infineon Technologies
IRFB5615PBFXKMA1
на замовлення 268000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
319+110.91 грн
500+99.82 грн
1000+92.06 грн
10000+79.14 грн
100000+61.40 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFXKMA1 Infineon_IRFB5615_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBFXKMA1 infineon-irfb5615-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB5615PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.