на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 115.23 грн |
| 10+ | 77.40 грн |
| 100+ | 53.37 грн |
| 500+ | 44.37 грн |
| 1000+ | 39.91 грн |
| 2000+ | 39.43 грн |
| 10000+ | 39.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB5615PBFXKMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 144W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFB5615PBFXKMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFB5615PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 IRFB5615PBFXKMA1 |
товару немає в наявності |
||
| IRFB5615PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IRFB5615PBFXKMA1 |
товару немає в наявності |
||
 |
IRFB5615PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |