IRFB5620PBF Infineon Technologies
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 56.80 грн |
| 2000+ | 56.22 грн |
| 5000+ | 55.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB5620PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFB5620PBF за ціною від 50.23 грн до 231.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFB5620PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB5620PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB5620PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB5620PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB5620PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB5620PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB5620PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB5620PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB5620PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
на замовлення 661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB5620PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB5620PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB5620PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC |
на замовлення 2976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB5620PBF Код товару: 47564
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 60 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB5620PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFB5620PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |