Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB5620PBF
IRFB5620PBF

IRFB5620PBF Infineon Technologies

infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB5620PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFB5620PBF за ціною від 51.02 грн до 248.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+53.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+68.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+76.00 грн
170+71.82 грн
500+61.28 грн
1000+55.99 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+105.74 грн
500+95.17 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+123.64 грн
136+90.29 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+123.91 грн
152+80.56 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.73 грн
50+61.68 грн
100+61.63 грн
500+56.72 грн
1000+52.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+132.76 грн
10+86.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
92+133.44 грн
176+69.38 грн
178+68.68 грн
500+60.03 грн
1000+53.68 грн
2000+51.02 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A99F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5620pbf.pdf?ci_sign=dba5e26ac2c7961fde53bfdd1882c9038aa6ace9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+136.81 грн
9+102.72 грн
25+96.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF
Код товару: 47564
Додати до обраних Обраний товар

irfb5620pbf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 60 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A99F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5620pbf.pdf?ci_sign=dba5e26ac2c7961fde53bfdd1882c9038aa6ace9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.17 грн
9+128.01 грн
25+115.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+165.48 грн
10+81.40 грн
100+76.91 грн
500+63.29 грн
1000+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+168.05 грн
10+120.76 грн
100+97.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+205.86 грн
119+103.33 грн
132+93.13 грн
250+89.42 грн
500+67.08 грн
1000+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+233.29 грн
55+224.40 грн
100+216.79 грн
250+202.71 грн
500+182.59 грн
1000+171.00 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFB5620_DataSheet_v01_01_EN-3363074.pdf MOSFETs Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.55 грн
10+97.83 грн
100+81.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.