Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB5620PBF
IRFB5620PBF

IRFB5620PBF Infineon Technologies

infineon-irfb5620-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+55.32 грн
2000+55.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB5620PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IRFB5620PBF за ціною від 48.39 грн до 249.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+65.94 грн
2000+61.57 грн
5000+60.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
120+102.74 грн
159+76.97 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
292+104.98 грн
500+94.70 грн
Мінімальне замовлення: 292
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+119.86 грн
50+74.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+126.50 грн
50+65.79 грн
100+65.13 грн
500+56.94 грн
1000+50.92 грн
2000+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+129.08 грн
152+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
92+133.76 грн
176+69.55 грн
178+68.85 грн
500+60.18 грн
1000+53.81 грн
2000+51.14 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A99F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5620pbf.pdf?ci_sign=dba5e26ac2c7961fde53bfdd1882c9038aa6ace9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+177.77 грн
10+102.97 грн
25+97.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF
Код товару: 47564
Додати до обраних Обраний товар

irfb5620pbf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 60 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+189.38 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies irfb5620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356167d611e4a Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.36 грн
50+94.09 грн
100+84.64 грн
500+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+206.35 грн
119+103.58 грн
132+93.36 грн
250+89.64 грн
500+67.24 грн
1000+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A99F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5620pbf.pdf?ci_sign=dba5e26ac2c7961fde53bfdd1882c9038aa6ace9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.32 грн
10+128.32 грн
25+116.96 грн
500+112.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+242.10 грн
10+102.43 грн
100+94.81 грн
500+81.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFB5620_DataSheet_v01_01_EN-3363074.pdf MOSFETs Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.15 грн
10+98.06 грн
100+81.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.