Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB5620PBF
IRFB5620PBF

IRFB5620PBF

irfb5620pbf.pdf
Код товару: 47564
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 60 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB5620PBF за ціною від 52.67 грн до 233.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.33 грн
500+91.03 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+105.83 грн
145+97.33 грн
500+80.76 грн
1000+76.34 грн
2000+63.18 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.30 грн
500+110.07 грн
1000+101.51 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.12 грн
10+95.83 грн
100+91.33 грн
500+87.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb5620pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+126.72 грн
10+77.88 грн
20+68.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB5620_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.68 грн
10+96.24 грн
100+71.73 грн
500+60.27 грн
1000+56.40 грн
2000+52.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.42 грн
10+105.62 грн
100+97.14 грн
500+77.72 грн
1000+70.55 грн
2000+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+219.08 грн
123+115.48 грн
135+105.02 грн
500+83.69 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.73 грн
50+104.34 грн
100+93.85 грн
500+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+233.26 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
155+91.33 грн
500+91.03 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
134+105.83 грн
145+97.33 грн
500+80.76 грн
1000+76.34 грн
2000+63.18 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
289+122.30 грн
500+110.07 грн
1000+101.51 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+125.12 грн
10+95.83 грн
100+91.33 грн
500+87.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF irfb5620pbf.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+126.72 грн
10+77.88 грн
20+68.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF Infineon_IRFB5620_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+179.68 грн
10+96.24 грн
100+71.73 грн
500+60.27 грн
1000+56.40 грн
2000+52.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+180.42 грн
10+105.62 грн
100+97.14 грн
500+77.72 грн
1000+70.55 грн
2000+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
65+219.08 грн
123+115.48 грн
135+105.02 грн
500+83.69 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF infineon-irfb5620-datasheet-en.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+220.73 грн
50+104.34 грн
100+93.85 грн
500+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
61+233.26 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.