Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB5620PBF
IRFB5620PBF

IRFB5620PBF

irfb5620pbf.pdf
Код товару: 47564
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 60 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1710/25
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB5620PBF за ціною від 67.16 грн до 238.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+91.24 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.58 грн
500+110.32 грн
1000+101.74 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb5620pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.83 грн
10+78.77 грн
20+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.23 грн
50+99.93 грн
100+90.04 грн
500+68.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.81 грн
10+115.52 грн
100+105.09 грн
500+83.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+218.81 грн
123+115.52 грн
135+105.09 грн
500+83.76 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+233.78 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.07 грн
10+115.74 грн
100+108.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB5620_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF INFINEON INFN-S-A0012837665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
156+91.24 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
289+122.58 грн
500+110.32 грн
1000+101.74 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF irfb5620pbf.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+159.83 грн
10+78.77 грн
20+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF infineon-irfb5620-datasheet-en.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+209.23 грн
50+99.93 грн
100+90.04 грн
500+68.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+218.81 грн
10+115.52 грн
100+105.09 грн
500+83.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
65+218.81 грн
123+115.52 грн
135+105.09 грн
500+83.76 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+233.78 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+238.07 грн
10+115.74 грн
100+108.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF Infineon_IRFB5620_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF INFN-S-A0012837665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB5620PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.