Інші пропозиції IRFB5620PBF за ціною від 67.01 грн до 234.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB5620PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB5620PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB5620PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB5620PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB5620PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB5620PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB5620PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB5620PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB5620PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB5620PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB5620PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB5620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 156+ | 91.03 грн |
| IRFB5620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 108.03 грн |
| 10+ | 91.03 грн |
| IRFB5620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 122+ | 116.37 грн |
| 135+ | 105.24 грн |
| 500+ | 86.11 грн |
| 1000+ | 79.70 грн |
| 2000+ | 71.35 грн |
| IRFB5620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 289+ | 122.30 грн |
| 500+ | 110.07 грн |
| 1000+ | 101.51 грн |
| IRFB5620PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 159.47 грн |
| 10+ | 78.59 грн |
| 20+ | 67.01 грн |
| IRFB5620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 215.72 грн |
| 50+ | 101.97 грн |
| 100+ | 91.71 грн |
| 500+ | 69.20 грн |
| IRFB5620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 217.22 грн |
| 10+ | 114.58 грн |
| 100+ | 104.21 грн |
| 500+ | 83.05 грн |
| IRFB5620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 65+ | 217.22 грн |
| 124+ | 114.58 грн |
| 136+ | 104.21 грн |
| 500+ | 83.05 грн |
| IRFB5620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 61+ | 233.26 грн |
| IRFB5620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 234.20 грн |
| 10+ | 116.48 грн |
| 100+ | 105.33 грн |
| 500+ | 83.11 грн |
| 1000+ | 73.86 грн |
| 2000+ | 68.56 грн |
| IRFB5620PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC
MOSFETs Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)







