Інші пропозиції IRFB59N10DPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFB59N10DPBF | Виробник : International Rectifier |
 TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
| IRFB59N10DPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 59 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2450 @ 25, Qg, нКл = 114 @ 10 В, Rds = 25 мОм @ 35,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-22 кількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
IRFB59N10DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFB59N10DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC |
товару немає в наявності |