Технічний опис IRFB61N15DPBF
- MOSFET, N, 150V, 60A, TO-220
- Transistor Polarity:N
- Max Voltage Vds:150V
- On State Resistance:0.032ohm
- Power Dissipation:330W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- SVHC:No SVHC
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:60A
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
- On State resistance @ Vgs = 10V:32ohm
- Power Dissipation Pd:330W
- Pulse Current Idm:250A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Voltage Vds:150V
- Typ Voltage Vgs th:5.5V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRFB61N15DPBF за ціною від 186.60 грн до 223.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB61N15DPBF | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRFB61N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 60 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 330 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5 Verlustleistung: 330 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| IRFB61N15DPBF | Виробник : International Rectifier |
TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||
 |
IRFB61N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IRFB61N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 95nC |
товару немає в наявності |