IRFB61N15DPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRFB61N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 226.95 грн |
| 10+ | 189.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB61N15DPBF INFINEON
Description: MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFB61N15DPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB61N15DPBF Код товару: 116418
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||
 |
IRFB61N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFB61N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFB61N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 95nC |
товару немає в наявності |