Продукція > INFINEON > IRFB61N15DPBF
IRFB61N15DPBF

IRFB61N15DPBF INFINEON


2043026.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB61N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+203.49 грн
10+ 170.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB61N15DPBF INFINEON

Description: MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFB61N15DPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFB61N15DPBF IRFB61N15DPBF
Код товару: 116418
irfb61n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561693671e51 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFB61N15DPBF IRFB61N15DPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb61n15d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRFB61N15DPBF IRFB61N15DPBF Виробник : Infineon Technologies irfb61n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561693671e51 Description: MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFB61N15DPBF IRFB61N15DPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFB61N15D_DataSheet_v01_01_EN-3363243.pdf MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 95nC
товар відсутній
IRFB61N15DPBF IRFB61N15DPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb61n15dpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній