Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB7430PBF
IRFB7430PBF

IRFB7430PBF Infineon Technologies

infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+176.79 грн
500+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB7430PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFB7430PBF за ціною від 84.52 грн до 326.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.79 грн
500+159.11 грн
1000+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.79 грн
500+159.11 грн
1000+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies irfb7430pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356169bcd1e53 Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.17 грн
10+158.81 грн
50+122.38 грн
100+103.83 грн
500+84.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+326.94 грн
10+178.82 грн
100+163.07 грн
500+129.97 грн
1000+118.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+326.94 грн
80+178.82 грн
100+163.07 грн
500+129.97 грн
1000+118.33 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB7430_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF INFINEON INFN-S-A0012838382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf
IRFB7430PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+176.79 грн
500+159.11 грн
1000+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf
IRFB7430PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+176.79 грн
500+159.11 грн
1000+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF irfb7430pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356169bcd1e53
IRFB7430PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.17 грн
10+158.81 грн
50+122.38 грн
100+103.83 грн
500+84.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf
IRFB7430PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+326.94 грн
10+178.82 грн
100+163.07 грн
500+129.97 грн
1000+118.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf
IRFB7430PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+326.94 грн
80+178.82 грн
100+163.07 грн
500+129.97 грн
1000+118.33 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF Infineon_IRFB7430_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFB7430PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF INFN-S-A0012838382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB7430PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.