IRFB7430PBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 176.40 грн |
| 500+ | 158.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB7430PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm.
Інші пропозиції IRFB7430PBF за ціною від 83.52 грн до 343.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFB7430PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 409A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET |
на замовлення 198 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V |
на замовлення 833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IRFB7430PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm |
на замовлення 956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB7430PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 176.40 грн |
| 500+ | 158.76 грн |
| 1000+ | 147.00 грн |
| IRFB7430PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 176.40 грн |
| 500+ | 158.76 грн |
| 1000+ | 147.00 грн |
| IRFB7430PBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 249.79 грн |
| 3+ | 205.70 грн |
| 10+ | 165.92 грн |
| 50+ | 121.05 грн |
| 100+ | 107.51 грн |
| IRFB7430PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 250.01 грн |
| 10+ | 156.94 грн |
| 50+ | 120.94 грн |
| 100+ | 102.61 грн |
| 500+ | 83.52 грн |
| IRFB7430PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 317.39 грн |
| 10+ | 173.24 грн |
| 100+ | 157.96 грн |
| 500+ | 125.87 грн |
| 1000+ | 114.55 грн |
| IRFB7430PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 317.39 грн |
| 82+ | 173.24 грн |
| 100+ | 157.96 грн |
| 500+ | 125.87 грн |
| 1000+ | 114.55 грн |
| IRFB7430PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 341.91 грн |
| 81+ | 175.65 грн |
| 100+ | 159.15 грн |
| 500+ | 125.39 грн |
| 1000+ | 114.05 грн |
| IRFB7430PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 343.10 грн |
| 10+ | 176.26 грн |
| 100+ | 159.70 грн |
| 500+ | 125.83 грн |
| 1000+ | 114.45 грн |
| IRFB7430PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC
MOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFB7430PBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)