Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB7430PBF
IRFB7430PBF

IRFB7430PBF Infineon Technologies

infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+179.08 грн
10+134.07 грн
100+127.46 грн
500+107.98 грн
1000+97.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB7430PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFB7430PBF за ціною від 76.28 грн до 325.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.96 грн
105+134.72 грн
111+128.08 грн
500+108.51 грн
1000+97.89 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+186.98 грн
500+168.17 грн
1000+155.23 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+186.98 грн
500+168.17 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+186.98 грн
500+168.17 грн
1000+155.23 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7430PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.08 грн
10+150.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies irfb7430pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356169bcd1e53 Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.47 грн
50+118.77 грн
100+107.47 грн
500+82.25 грн
1000+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB7430_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.91 грн
10+188.44 грн
100+122.37 грн
500+101.97 грн
1000+94.94 грн
2000+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+325.65 грн
79+179.18 грн
100+163.93 грн
500+127.73 грн
1000+113.53 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF INFINEON INFN-S-A0012838382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf
IRFB7430PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
79+179.96 грн
105+134.72 грн
111+128.08 грн
500+108.51 грн
1000+97.89 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf
IRFB7430PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
189+186.98 грн
500+168.17 грн
1000+155.23 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf
IRFB7430PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
189+186.98 грн
500+168.17 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf
IRFB7430PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
189+186.98 грн
500+168.17 грн
1000+155.23 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF.pdf
IRFB7430PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+187.08 грн
10+150.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF irfb7430pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356169bcd1e53
IRFB7430PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+244.47 грн
50+118.77 грн
100+107.47 грн
500+82.25 грн
1000+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF Infineon_IRFB7430_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFB7430PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+292.91 грн
10+188.44 грн
100+122.37 грн
500+101.97 грн
1000+94.94 грн
2000+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf
IRFB7430PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
44+325.65 грн
79+179.18 грн
100+163.93 грн
500+127.73 грн
1000+113.53 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF INFN-S-A0012838382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB7430PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.