IRFB7430PBF Infineon Technologies
на замовлення 7694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 84.04 грн |
| 10+ | 82.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB7430PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.001 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFB7430PBF за ціною від 85.13 грн до 328.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFB7430PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFB7430PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB7430PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB7430PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB7430PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFB7430PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V |
на замовлення 911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFB7430PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.001 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFB7430PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC |
на замовлення 3513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFB7430PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 409A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Trade name: StrongIRFET |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB7430PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 409A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB7430PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRFB7430PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |