IRFB7434GPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 10510.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB7434GPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRFB7434GPBF за ціною від 118.05 грн до 131.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB7434GPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET MOSFET, 40V, 195A, 1 216 nC Qg, TO-220AB |
на замовлення 918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||
| IRFB7434GPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Power Mosfet |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
|
IRFB7434GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |