Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > IRFB7446GPBF
IRFB7446GPBF

IRFB7446GPBF International Rectifier

irfb7446gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616c6581e5d Виробник: International Rectifier
Description: IRFB7446 - POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
378+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 378
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB7446GPBF International Rectifier

Description: IRFB7446 - POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 99W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFB7446GPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFB7446GPBF IRFB7446GPBF Виробник : Infineon Technologies irfb7446gpbf-1227393.pdf MOSFET MOSFET, 40V, 118A, 3 62 nC Qg, TO-220AB
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRFB7446GPBF IRFB7446GPBF Виробник : Infineon Technologies IRFB7446GPbF.pdf Description: MOSFET N CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
товар відсутній