IRFB7530PBF

IRFB7530PBF Infineon Technologies


1998irfs7530pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB7530PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFB7530PBF за ціною від 64.37 грн до 260.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+105.74 грн
10+98.11 грн
50+97.21 грн
100+91.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
108+113.88 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
688+117.70 грн
Мінімальне замовлення: 688
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+129.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs7530pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 274nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+130.39 грн
10+98.09 грн
14+68.20 грн
37+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
92+133.12 грн
94+130.10 грн
100+127.15 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF
Код товару: 184416
Додати до обраних Обраний товар

irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs7530pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 274nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.47 грн
10+122.24 грн
14+81.84 грн
37+77.25 грн
100+74.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
194+157.60 грн
500+151.50 грн
1000+142.34 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+164.66 грн
10+127.37 грн
50+123.62 грн
100+107.49 грн
500+88.13 грн
1000+83.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+176.83 грн
90+136.80 грн
92+132.76 грн
102+115.45 грн
500+94.65 грн
1000+89.97 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+181.39 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+210.45 грн
10+195.59 грн
100+123.79 грн
500+105.75 грн
1000+96.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS7530_DataSheet_v01_01_EN-3363347.pdf MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.46 грн
10+200.51 грн
25+116.97 грн
100+108.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3 Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 9476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.23 грн
50+128.38 грн
100+116.54 грн
500+102.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.