Інші пропозиції IRFB7530PBF за ціною від 92.81 грн до 384.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB7530PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 295A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 274nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB7530PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |