IRFB7530PBF Infineon Technologies
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 81.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB7530PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFB7530PBF за ціною від 56.36 грн до 259.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB7530PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 295A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 274nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Trade name: StrongIRFET |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7530PBF Код товару: 184416
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB7530PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 295A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 274nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB7530PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB |
на замовлення 1812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V |
на замовлення 9476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB7530PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |