Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB7530PBF
IRFB7530PBF

IRFB7530PBF Infineon Technologies

1998irfs7530pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB7530PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFB7530PBF за ціною від 68.72 грн до 292.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
688+92.10 грн
Мінімальне замовлення: 688
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
118+104.27 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+111.71 грн
11+68.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+152.23 грн
500+144.05 грн
1000+135.88 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
74+165.86 грн
75+164.20 грн
90+137.14 грн
91+130.92 грн
100+109.95 грн
250+100.40 грн
500+95.40 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+176.87 грн
10+175.11 грн
25+146.24 грн
50+139.63 грн
100+117.26 грн
250+107.07 грн
500+101.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A677F07BCF01EC&compId=irfs7530pbf.pdf?ci_sign=85e71ad5005e668b68064aa3ea1b9a48fa5ebf67 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.21 грн
3+190.53 грн
10+102.84 грн
25+97.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A677F07BCF01EC&compId=irfs7530pbf.pdf?ci_sign=85e71ad5005e668b68064aa3ea1b9a48fa5ebf67 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.43 грн
10+123.41 грн
25+116.71 грн
500+112.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+245.54 грн
10+240.39 грн
100+129.64 грн
500+107.62 грн
1000+98.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+245.90 грн
82+149.53 грн
100+135.74 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3 Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 5134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.12 грн
50+127.89 грн
100+116.10 грн
500+95.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS7530_DataSheet_v01_01_EN-3363347.pdf MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.86 грн
10+146.98 грн
100+117.09 грн
500+106.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF
Код товару: 184416
Додати до обраних Обраний товар

irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.