Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB7530PBF

IRFB7530PBF

irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3
Код товару: 184416
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB7530PBF за ціною від 106.94 грн до 384.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB7530PBF IRFB7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7530pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Gate charge: 274nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 295A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2mΩ
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+233.90 грн
10+146.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Infineon Technologies irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3 Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+309.43 грн
50+152.68 грн
100+138.60 грн
500+106.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.42 грн
10+195.93 грн
25+194.01 грн
50+185.24 грн
100+154.41 грн
250+146.75 грн
500+133.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+351.42 грн
72+195.93 грн
73+194.01 грн
74+185.24 грн
100+154.41 грн
250+146.75 грн
500+133.04 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+382.69 грн
71+199.38 грн
72+188.43 грн
100+156.92 грн
250+149.14 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+384.92 грн
10+200.54 грн
25+198.54 грн
50+189.54 грн
100+157.84 грн
250+150.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF INFINEON INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF irfs7530pbf.pdf
IRFB7530PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Gate charge: 274nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 295A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2mΩ
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.90 грн
10+146.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3
IRFB7530PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+309.43 грн
50+152.68 грн
100+138.60 грн
500+106.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF irfr3410pbf.pdf
IRFB7530PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+351.42 грн
10+195.93 грн
25+194.01 грн
50+185.24 грн
100+154.41 грн
250+146.75 грн
500+133.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF irfr3410pbf.pdf
IRFB7530PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+351.42 грн
72+195.93 грн
73+194.01 грн
74+185.24 грн
100+154.41 грн
250+146.75 грн
500+133.04 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF irfr3410pbf.pdf
IRFB7530PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+382.69 грн
71+199.38 грн
72+188.43 грн
100+156.92 грн
250+149.14 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF irfr3410pbf.pdf
IRFB7530PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+384.92 грн
10+200.54 грн
25+198.54 грн
50+189.54 грн
100+157.84 грн
250+150.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB7530PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.