Інші пропозиції IRFB7530PBF за ціною від 110.95 грн до 390.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB7530PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7530PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7530PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7530PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V |
на замовлення 2653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7530PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7530PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7530PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7530PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7530PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7530PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7530PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB |
на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFB7530PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 85+ | 168.14 грн |
| IRFB7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 203+ | 175.60 грн |
| IRFB7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 203+ | 175.60 грн |
| 500+ | 166.11 грн |
| IRFB7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 320.87 грн |
| 10+ | 203.74 грн |
| 50+ | 158.40 грн |
| 100+ | 134.95 грн |
| 500+ | 110.95 грн |
| IRFB7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 355.97 грн |
| 10+ | 198.25 грн |
| 25+ | 196.30 грн |
| 50+ | 189.11 грн |
| 100+ | 156.44 грн |
| 250+ | 148.69 грн |
| 500+ | 121.95 грн |
| IRFB7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 356.15 грн |
| 72+ | 198.56 грн |
| 73+ | 196.62 грн |
| 74+ | 187.73 грн |
| 100+ | 156.48 грн |
| 250+ | 148.73 грн |
| 500+ | 134.83 грн |
| IRFB7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 382.91 грн |
| 10+ | 199.05 грн |
| 25+ | 197.05 грн |
| 50+ | 188.09 грн |
| 100+ | 156.53 грн |
| IRFB7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 38+ | 382.91 грн |
| 72+ | 199.05 грн |
| 73+ | 188.09 грн |
| 100+ | 156.53 грн |
| IRFB7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 387.84 грн |
| 71+ | 202.07 грн |
| 72+ | 190.97 грн |
| 100+ | 159.03 грн |
| 250+ | 151.14 грн |
| IRFB7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 390.10 грн |
| 10+ | 203.24 грн |
| 25+ | 201.21 грн |
| 50+ | 192.08 грн |
| 100+ | 159.97 грн |
| 250+ | 152.02 грн |
| IRFB7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFB7530PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






