IRFB7534PBF Infineon Technologies
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 59.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB7534PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB7534PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFB7534PBF за ціною від 37.28 грн до 189.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB7534PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB7534PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB7534PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB7534PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB7534PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB7534PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Trade name: StrongIRFET Polarisation: unipolar Gate charge: 186nC On-state resistance: 2.4mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 294W Drain current: 195A Kind of package: tube |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB7534PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 81248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB7534PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB7534PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Trade name: StrongIRFET Polarisation: unipolar Gate charge: 186nC On-state resistance: 2.4mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 294W Drain current: 195A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 876 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB7534PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V |
на замовлення 8113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB7534PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7534PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB7534PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB |
на замовлення 639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|