Технічний опис IRFB7534PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB7534PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFB7534PBF за ціною від 65.15 грн до 13795.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB7534PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 81248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7534PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7534PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V |
на замовлення 7894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7534PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7534PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7534PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFB7534PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB7534PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 81248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 141.12 грн |
| 500+ | 127.01 грн |
| 1000+ | 117.13 грн |
| 10000+ | 100.70 грн |
| IRFB7534PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 141.12 грн |
| 500+ | 127.01 грн |
| 1000+ | 117.13 грн |
| IRFB7534PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
на замовлення 7894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 245.87 грн |
| 50+ | 118.80 грн |
| 100+ | 107.36 грн |
| 500+ | 81.96 грн |
| 1000+ | 75.91 грн |
| 2000+ | 70.84 грн |
| 5000+ | 65.15 грн |
| IRFB7534PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 13795.04 грн |
| IRFB7534PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7534PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFB7534PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFB7534PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






