
IRFB7545PBF Infineon Technologies
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 21.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB7545PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB7545PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 95 A, 0.0049 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFB7545PBF за ціною від 21.54 грн до 50.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFB7545PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 57A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 25 V |
на замовлення 35594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB7545PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB7545PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB7545PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 91239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB7545PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB7545PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB7545PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB7545PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB7545PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 95A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Trade name: StrongIRFET |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB7545PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 95A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 170 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB7545PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
IRFB7545PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
IRFB7545PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
IRFB7545PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFB7545PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |