Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB7730PBF
IRFB7730PBF

IRFB7730PBF Infineon Technologies

infineon-irfs7730-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
160+76.46 грн
162+75.56 грн
500+72.32 грн
1000+66.89 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB7730PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0026 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375mW, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFB7730PBF за ціною від 78.78 грн до 262.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7730-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
139+87.85 грн
141+86.66 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7730-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
139+87.86 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+90.04 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+96.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+125.06 грн
10+106.13 грн
25+105.06 грн
50+100.29 грн
100+91.70 грн
250+87.74 грн
500+84.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 647000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+128.48 грн
324000+117.97 грн
486000+110.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+135.36 грн
95+128.90 грн
117+104.85 грн
119+99.31 грн
122+89.73 грн
250+85.65 грн
500+78.78 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 646000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+141.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
на замовлення 4236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.85 грн
50+106.22 грн
100+102.77 грн
500+87.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFS7730-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.04 грн
10+120.00 грн
100+97.49 грн
500+95.21 грн
1000+94.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A5A09C3C68469&compId=IRFB7730PBF.pdf?ci_sign=f1135565e8d5008d31f5ebd82a3d3e627ae7a3bd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.73 грн
6+181.68 грн
15+171.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF
Код товару: 168558
Додати до обраних Обраний товар

irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0026 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375mW
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+255.47 грн
10+147.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A5A09C3C68469&compId=IRFB7730PBF.pdf?ci_sign=f1135565e8d5008d31f5ebd82a3d3e627ae7a3bd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.48 грн
6+226.41 грн
15+205.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.