Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB7730PBF

IRFB7730PBF

irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc
Код товару: 168558
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB7730PBF за ціною від 92.62 грн до 457.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+99.51 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+164.96 грн
87+163.30 грн
100+151.21 грн
500+125.82 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+178.12 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+185.06 грн
10+129.52 грн
50+115.97 грн
100+107.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF INFINEON INFN-S-A0012813041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.16 грн
10+159.17 грн
100+123.07 грн
500+97.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+286.74 грн
250+198.23 грн
500+160.71 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies Infineon_IRFS7730_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.67 грн
10+198.14 грн
100+128.70 грн
500+107.60 грн
1000+99.86 грн
2000+93.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+315.67 грн
50+153.80 грн
100+139.26 грн
500+106.77 грн
1000+99.08 грн
2000+92.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+457.45 грн
50+231.33 грн
100+209.46 грн
500+164.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF irfs7730pbf.pdf
IRFB7730PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+99.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF irfs7730pbf.pdf
IRFB7730PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
142+99.51 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF irfs7730pbf.pdf
IRFB7730PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
86+164.96 грн
87+163.30 грн
100+151.21 грн
500+125.82 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF irfs7730pbf.pdf
IRFB7730PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
80+178.12 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF.pdf
IRFB7730PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+185.06 грн
10+129.52 грн
50+115.97 грн
100+107.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF INFN-S-A0012813041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB7730PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+255.16 грн
10+159.17 грн
100+123.07 грн
500+97.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF irfs7730pbf.pdf
IRFB7730PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+286.74 грн
250+198.23 грн
500+160.71 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF Infineon_IRFS7730_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFB7730PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+307.67 грн
10+198.14 грн
100+128.70 грн
500+107.60 грн
1000+99.86 грн
2000+93.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc
IRFB7730PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+315.67 грн
50+153.80 грн
100+139.26 грн
500+106.77 грн
1000+99.08 грн
2000+92.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF irfs7730pbf.pdf
IRFB7730PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+457.45 грн
50+231.33 грн
100+209.46 грн
500+164.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.