IRFB7730PBF


irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc
Код товару: 168558
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB7730PBF за ціною від 100.03 грн до 292.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.47 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.75 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.33 грн
87+163.67 грн
100+151.55 грн
500+126.10 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.78 грн
50+182.01 грн
100+164.92 грн
500+134.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.80 грн
50+189.77 грн
100+170.50 грн
500+137.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.94 грн
75+189.90 грн
100+170.62 грн
500+137.50 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 246A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+215.86 грн
10+142.57 грн
50+119.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+287.38 грн
250+198.67 грн
500+161.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.36 грн
10+185.07 грн
50+143.47 грн
100+122.07 грн
500+100.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies Infineon_IRFS7730_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF INFINEON INFN-S-A0012813041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF irfs7730pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+109.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF irfs7730pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+109.47 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF irfs7730pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
105+135.75 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF irfs7730pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+165.33 грн
87+163.67 грн
100+151.55 грн
500+126.10 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF irfs7730pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+183.78 грн
50+182.01 грн
100+164.92 грн
500+134.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF irfs7730pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+191.80 грн
50+189.77 грн
100+170.50 грн
500+137.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF irfs7730pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+191.94 грн
75+189.90 грн
100+170.62 грн
500+137.50 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 246A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+215.86 грн
10+142.57 грн
50+119.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF irfs7730pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+287.38 грн
250+198.67 грн
500+161.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+292.36 грн
10+185.07 грн
50+143.47 грн
100+122.07 грн
500+100.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF Infineon_IRFS7730_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF INFN-S-A0012813041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.