
IRFB7730PBF Infineon Technologies
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
160+ | 76.46 грн |
162+ | 75.56 грн |
500+ | 72.32 грн |
1000+ | 66.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB7730PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0026 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375mW, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFB7730PBF за ціною від 70.21 грн до 315.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFB7730PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7730PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7730PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7730PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7730PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7730PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7730PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V |
на замовлення 5050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7730PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375mW Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7730PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 246A Power dissipation: 375W Case: TO220AB On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7730PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 246A Power dissipation: 375W Case: TO220AB On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 113 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFB7730PBF Код товару: 168558
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFB7730PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |