Інші пропозиції IRFB7730PBF за ціною від 100.03 грн до 292.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB7730PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7730PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7730PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7730PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7730PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7730PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7730PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7730PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 246A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 75V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 2.2mΩ |
на замовлення 92 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7730PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7730PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V |
на замовлення 2452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7730PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power |
на замовлення 2216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFB7730PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 375mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm |
на замовлення 922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB7730PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 109.47 грн |
| IRFB7730PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 130+ | 109.47 грн |
| IRFB7730PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 105+ | 135.75 грн |
| IRFB7730PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 86+ | 165.33 грн |
| 87+ | 163.67 грн |
| 100+ | 151.55 грн |
| 500+ | 126.10 грн |
| IRFB7730PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 183.78 грн |
| 50+ | 182.01 грн |
| 100+ | 164.92 грн |
| 500+ | 134.58 грн |
| IRFB7730PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 191.80 грн |
| 50+ | 189.77 грн |
| 100+ | 170.50 грн |
| 500+ | 137.40 грн |
| IRFB7730PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 74+ | 191.94 грн |
| 75+ | 189.90 грн |
| 100+ | 170.62 грн |
| 500+ | 137.50 грн |
| IRFB7730PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 246A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 246A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 215.86 грн |
| 10+ | 142.57 грн |
| 50+ | 119.93 грн |
| IRFB7730PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 287.38 грн |
| 250+ | 198.67 грн |
| 500+ | 161.07 грн |
| IRFB7730PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 292.36 грн |
| 10+ | 185.07 грн |
| 50+ | 143.47 грн |
| 100+ | 122.07 грн |
| 500+ | 100.03 грн |
| IRFB7730PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFB7730PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







