IRFB7730PBF

IRFB7730PBF Infineon Technologies


irfs7730pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
254+51.19 грн
264+49.28 грн
265+49.10 грн
500+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 254
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB7730PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375mW, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFB7730PBF за ціною від 46.59 грн до 295.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+104.13 грн
14+54.85 грн
15+52.80 грн
100+50.73 грн
500+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
117+111.12 грн
137+95.45 грн
138+94.51 грн
139+90.22 грн
141+82.70 грн
250+78.60 грн
500+77.20 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+119.10 грн
10+102.31 грн
25+101.29 грн
50+96.69 грн
100+88.63 грн
250+84.24 грн
500+82.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+182.91 грн
10+127.60 грн
50+114.92 грн
100+105.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+211.38 грн
107+122.15 грн
111+117.82 грн
500+109.43 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+221.59 грн
250+206.31 грн
500+199.51 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
на замовлення 3191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.51 грн
50+123.38 грн
100+111.72 грн
500+85.65 грн
1000+79.48 грн
2000+75.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS7730_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.89 грн
10+126.75 грн
100+100.39 грн
500+84.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : INFINEON irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375mW
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+295.66 грн
10+150.70 грн
100+136.77 грн
500+108.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF
Код товару: 168558
Додати до обраних Обраний товар

irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.