IRFB7730PBF Infineon Technologies
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 143+ | 88.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB7730PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375mW, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFB7730PBF за ціною від 55.07 грн до 281.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB7730PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7730PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7730PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7730PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB7730PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 246A Power dissipation: 375W Case: TO220AB On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7730PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 246A Power dissipation: 375W Case: TO220AB On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB7730PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7730PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB7730PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375mW Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB7730PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V |
на замовлення 4030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB7730PBF Код товару: 168558
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRFB7730PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |