Технічний опис IRFB7734PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB7734PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 183 A, 3500 µohm, TO-2220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 183A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: TO-2220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFB7734PBF за ціною від 52.11 грн до 229.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB7734PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB7734PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB7734PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 155830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB7734PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 200050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB7734PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7734PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 183 A, 3500 µohm, TO-2220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 183A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: TO-2220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB7734PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 183A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB7734PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IRFB7734PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 75.13 грн |
| IRFB7734PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 264+ | 134.06 грн |
| 500+ | 121.13 грн |
| 1000+ | 111.28 грн |
| IRFB7734PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 155830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 264+ | 134.06 грн |
| 500+ | 121.13 грн |
| 1000+ | 111.28 грн |
| 10000+ | 95.66 грн |
| 100000+ | 74.21 грн |
| IRFB7734PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 264+ | 134.06 грн |
| 500+ | 121.13 грн |
| 1000+ | 111.28 грн |
| 10000+ | 95.66 грн |
| 100000+ | 74.21 грн |
| IRFB7734PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7734PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 183 A, 3500 µohm, TO-2220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: TO-2220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFB7734PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 183 A, 3500 µohm, TO-2220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: TO-2220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 168.20 грн |
| 12+ | 71.87 грн |
| 100+ | 64.00 грн |
| 500+ | 52.11 грн |
| IRFB7734PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 183A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 183A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 185.92 грн |
| IRFB7734PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 229.73 грн |
| 10+ | 146.38 грн |
| 100+ | 87.91 грн |
| 500+ | 73.14 грн |
| 1000+ | 67.72 грн |
| 2000+ | 64.14 грн |






