Продукція > INFINEON / IR > IRFB7787PBF
IRFB7787PBF

IRFB7787PBF Infineon / IR

Infineon_IRFS7787_DataSheet_v01_01_EN-1228516.pdf
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+144.72 грн
10+128.88 грн
100+87.40 грн
500+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB7787PBF Infineon / IR

Description: MOSFET N-CH 75V 76A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFB7787PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFB7787PBF IRFB7787PBF Infineon Technologies irfs7787pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ad73d21eb Description: MOSFET N-CH 75V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7787PBF irfs7787pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ad73d21eb
IRFB7787PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.