Інші пропозиції IRFBA90N20DPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFBA90N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRFBA90N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-273AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 650W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRFBA90N20DPBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
товару немає в наявності |