Продукція > SILICONIX > IRFBE20

IRFBE20 Siliconix

91117.pdf Виробник: Siliconix
N-MOSFET 1.8A 800V 54W 6.5Ω IRFBE20 TIRFBE20
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBE20 Siliconix

Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFBE20 за ціною від 26.00 грн до 29.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBE20 IRFBE20
Код товару: 58305
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR 91117.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 1,8 A
Rds(on), Ohm: 6,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 530/38
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+29.00 грн
10+26.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20 IRFBE20 Виробник : Vishay 91117.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20 IRFBE20 Виробник : Vishay Siliconix 91117.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20 IRFBE20 Виробник : Vishay / Siliconix 91117.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFBE20PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.