IRFBE20 Siliconix
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 33.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBE20 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFBE20
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFBE20 Код товару: 58305 |
Виробник : IR |
 Транзистори > Польові N-канальніUds,V: 800 V Idd,A: 1,8 A Rds(on), Ohm: 6,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 530/38 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|
 |
IRFBE20 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
IRFBE20 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IRFBE20 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFBE20PBF |
товар відсутній |