Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFD014PBF Vishay
IRFD014PBF

IRFD014PBF Vishay

sihfd014-datasheet.pdf
Код товару: 72611
Виробник: Vishay
Корпус: HVMDIP-4
Uds,V: 60 V
Idd,A: 1,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 310/11
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+15.00 грн
10+13.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFD014PBF за ціною від 18.20 грн до 147.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFD014PBF IRFD014PBF Виробник : Vishay sihfd014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 15396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD014PBF IRFD014PBF Виробник : Vishay sihfd014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD014PBF IRFD014PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A85E83C7B8469&compId=IRFD014PBF.pdf?ci_sign=b24ac99d022215f2394a6c8b85ba486fa0b680b4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.96 грн
10+56.10 грн
38+24.22 грн
50+24.14 грн
103+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD014PBF IRFD014PBF Виробник : Vishay sihfd014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 7277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+90.76 грн
5000+45.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD014PBF IRFD014PBF Виробник : Vishay sihfd014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 7272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
126+97.46 грн
5000+49.24 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD014PBF IRFD014PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A85E83C7B8469&compId=IRFD014PBF.pdf?ci_sign=b24ac99d022215f2394a6c8b85ba486fa0b680b4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.95 грн
10+69.90 грн
38+29.06 грн
50+28.97 грн
103+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD014PBF IRFD014PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329327-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.14 грн
10+83.35 грн
100+52.08 грн
500+45.98 грн
1000+42.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD014PBF IRFD014PBF Виробник : Vishay / Siliconix sihfd014.pdf MOSFETs HVMDIP 60V 1.7A N-CH MOSFET
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.18 грн
10+87.14 грн
100+47.67 грн
2500+47.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD014PBF IRFD014PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfd014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.22 грн
10+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

LM393P
Код товару: 25898
Додати до обраних Обраний товар

description lm193.pdf?ts=1640569642482
LM393P
Виробник: TI
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: DIP-8
Функц.опис: Кількість каналів: 2; Uпіт, В: ±36; tз, нс: 300; Тип виходу: OK; Uсм, мВ: 5; Iпотр, мА: 1;
Udss,V: ±36 V
Id,A: 0.006 A
Темп.діапазон: 0...+70°C
у наявності: 456 шт
401 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+7.00 грн
10+6.30 грн
100+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
22uF 35V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR220M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 17716
Додати до обраних Обраний товар

EXR_080421.pdf
22uF 35V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR220M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 9039 шт
8603 шт - склад
125 шт - РАДІОМАГ-Київ
126 шт - РАДІОМАГ-Львів
152 шт - РАДІОМАГ-Одеса
33 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
7+1.50 грн
10+1.00 грн
100+0.75 грн
1000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
820 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-820K-Hitano) (S)
Код товару: 13846
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
820 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-820K-Hitano) (S)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 820 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 3306 шт
350 шт - РАДІОМАГ-Львів
1985 шт - РАДІОМАГ-Харків
971 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
20+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
510 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-510R-Hitano)
Код товару: 11099
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
510 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-510R-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 510 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 8810 шт
8310 шт - склад
500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
20+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
22nF 50V Z5V M(+/-20%) (R15Z223M1HL2-L-Hitano)
Код товару: 2893
Додати до обраних Обраний товар

multilayer_ceramic_capacitorsepoxy.pdf
22nF 50V Z5V M(+/-20%) (R15Z223M1HL2-L-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 22 nF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: Z5V
Точність: ±20% M
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15Z223M1HL-2L
у наявності: 1668 шт
1373 шт - склад
140 шт - РАДІОМАГ-Київ
70 шт - РАДІОМАГ-Харків
85 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
10+1.90 грн
100+1.70 грн
1000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.