IRFD213 Harris Corporation
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 384+ | 52.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD213 Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRFD213 за ціною від 73.51 грн до 88.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFD213 | Виробник : HARRIS |
IRFD213 |
на замовлення 4122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRFD213 | Виробник : HARRIS |
IRFD213 |
на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRFD213 |
|
на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |