Результат пошуку "irfdc20pbf." : 3
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 161
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFDC20PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFDC20PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFDC20PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 320mA; Idm: 2.6A; 1W; HVMDIP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.32A Pulsed drain current: 2.6A Power dissipation: 1W Case: HVMDIP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRFDC20PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
IRFDC20PBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP - Arrow.com
IRFDC20PBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP - Arrow.com
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
161+ | 75.63 грн |
500+ | 72.92 грн |
IRFDC20PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
IRFDC20PBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP - Arrow.com
IRFDC20PBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP - Arrow.com
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 77.32 грн |
10+ | 74.06 грн |
25+ | 73.62 грн |
100+ | 67.72 грн |
500+ | 60.46 грн |
IRFDC20PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 320mA; Idm: 2.6A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.32A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 320mA; Idm: 2.6A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.32A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.