IRFDC20PBF Vishay
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 83.51 грн |
| 10+ | 78.73 грн |
| 100+ | 73.65 грн |
| 250+ | 69.7 грн |
| 500+ | 61.13 грн |
| 1000+ | 58.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFDC20PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 190mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFDC20PBF за ціною від 56.3 грн до 146.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFDC20PBF | Виробник : Vishay |
 IRFDC20PBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP - Arrow.com |
на замовлення 2007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFDC20PBF | Виробник : Vishay |
IRFDC20PBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP - Arrow.com |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFDC20PBF | Виробник : Vishay |
IRFDC20PBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP - Arrow.com |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFDC20PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 600V N-CH HEXFET HEXDI |
на замовлення 2538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFDC20PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 5786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFDC20PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFDC20PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFDC20PBF - N CHANNEL MOSFET, 600V, 320mA, HD-1 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 320 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 1.3 Bauform - Transistor: HVMDIP Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 4.4 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRFDC20PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 320mA; Idm: 2.6A; 1W; HVMDIP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.32A Pulsed drain current: 2.6A Power dissipation: 1W Case: HVMDIP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRFDC20PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 320mA; Idm: 2.6A; 1W; HVMDIP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.32A Pulsed drain current: 2.6A Power dissipation: 1W Case: HVMDIP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |