Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > IRFH4210DTRPBF

IRFH4210DTRPBF International Rectifier

Name: IRFH4210DTRPBF
Brand: International Rectifier
SKU: 12741788-3
Price: 22803.42 UAH
Availability: InStock

IRSD-S-A0000571863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V

на замовлення 937 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
249+	91.58 грн

Мінімальне замовлення: 249

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFH4210DTRPBF International Rectifier

Description: HEXFET POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA, Supplier Device Package: PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V.

Інші пропозиції IRFH4210DTRPBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IRFH4210DTRPBF	Виробник : Infineon / IR	MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A	на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
IRFH4210DTRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 25V 44A 8-Pin PQFN EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFH4210DTRPBF	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 255A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 255A Power dissipation: 3.5W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Trade name: FastIRFET кількість в упаковці: 4000 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFH4210DTRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 25V 44A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFH4210DTRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 25V 44A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFH4210DTRPBF	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 255A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 255A Power dissipation: 3.5W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Trade name: FastIRFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.