Інші пропозиції IRFH4234TRPBF за ціною від 18.93 грн до 18.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH4234TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 22A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 22A Power dissipation: 3.5W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Trade name: FastIRFET |
на замовлення 1486 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||
 |
IRFH4234TRPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
 |
IRFH4234TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 22A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
IRFH4234TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 22A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V |
товару немає в наявності |