IRFH4251DTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 88.84 грн |
| 8000+ | 81.18 грн |
| 16000+ | 75.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH4251DTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 31W, 63W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 188A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, Supplier Device Package: PG-TISON-8, Part Status: Last Time Buy.
Інші пропозиції IRFH4251DTRPBF за ціною від 75.53 грн до 88.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFH4251DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 25V 64A/188A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRFH4251DTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 31W; PQFN5X6; FastIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 45A Power dissipation: 31W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Trade name: FastIRFET кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IRFH4251DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 31W, 63W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 188A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Last Time Buy |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRFH4251DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 31W, 63W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 188A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Last Time Buy |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IRFH4251DTRPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 25V Dual N-Ch 1.10mOhm 44nC 45A |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IRFH4251DTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 31W; PQFN5X6; FastIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 45A Power dissipation: 31W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Trade name: FastIRFET |
товар відсутній |