Технічний опис IRFH4253DTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 31W, 50W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, Supplier Device Package: PQFN (5x6), Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції IRFH4253DTRPBF за ціною від 69.71 грн до 239.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH4253DTRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFH4253DTRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 25V Dual N-Ch 1.45mOhm 31nC 45A |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFH4253DTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 31W, 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFH4253DTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 95.38 грн |
| IRFH4253DTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 25V Dual N-Ch 1.45mOhm 31nC 45A
MOSFETs 25V Dual N-Ch 1.45mOhm 31nC 45A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.82 грн |
| 10+ | 151.57 грн |
| 100+ | 92.33 грн |
| 500+ | 76.83 грн |
| 1000+ | 73.30 грн |
| 2000+ | 71.89 грн |
| 4000+ | 69.71 грн |
| IRFH4253DTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.46 грн |
| 10+ | 150.19 грн |
| 100+ | 104.21 грн |
| 500+ | 79.35 грн |
| 1000+ | 75.48 грн |