IRFH4255DTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 3437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 106+ | 115.68 грн |
| 111+ | 110.51 грн |
| 250+ | 106.08 грн |
| 500+ | 98.60 грн |
| 1000+ | 88.32 грн |
| 2500+ | 82.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH4255DTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 31W, 38W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 105A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, Supplier Device Package: PQFN (5x6).
Інші пропозиції IRFH4255DTRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH4255DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A |
на замовлення 3803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
IRFH4255DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 31W, 38W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 105A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) |
товару немає в наявності |