Продукція > INFINEON / IR > IRFH4257DTRPBF

IRFH4257DTRPBF Infineon / IR

Виробник: Infineon / IR
MOSFET 25V FastIRFET 4x5 POWER BLOCK PKG

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFH4257DTRPBF Infineon / IR

Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 25W, 28W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4).

Інші пропозиції IRFH4257DTRPBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IRFH4257DTRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 25V 68A/111A 8-Pin QFN EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFH4257DTRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 25W, 28W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4)	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFH4257DTRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 25W, 28W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4)	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.