Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH4257DTRPBF Infineon / IR
Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 25W, 28W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4).
Інші пропозиції IRFH4257DTRPBF за ціною від 95.34 грн до 135.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFH4257DTRPBF | International Rectifier |
 Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFNPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 25W, 28W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4) |
на замовлення 1834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFH4257DTRPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 25V 68A/111A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 1834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFH4257DTRPBF |
|
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W, 28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4)
Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W, 28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4)
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 209+ | 95.34 грн |
| IRFH4257DTRPBF |
|
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 25V 68A/111A 8-Pin QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 68A/111A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 261+ | 135.24 грн |
| 500+ | 122.30 грн |
| 1000+ | 112.25 грн |