Технічний опис IRFH5006TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRFH5006TRPBF за ціною від 69.67 грн до 145.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 9814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC |
на замовлення 5337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
IRFH5006TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IRFH5006TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFH5006TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 133.27 грн |
| IRFH5006TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 101+ | 140.49 грн |
| 125+ | 113.15 грн |
| 133+ | 106.55 грн |
| 500+ | 90.92 грн |
| 1000+ | 78.72 грн |
| 2000+ | 73.63 грн |
| IRFH5006TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 98+ | 145.21 грн |
| 108+ | 132.01 грн |
| 132+ | 107.49 грн |
| 200+ | 97.29 грн |
| 1000+ | 79.89 грн |
| 2000+ | 71.53 грн |
| 4000+ | 69.67 грн |
| IRFH5006TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC
на замовлення 5337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFH5006TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFH5006TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)