IRFH5015TRPBF

IRFH5015TRPBF Infineon Technologies


irfh5015pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561abe001e9c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+38.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5015TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.0255 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFH5015TRPBF за ціною від 40.22 грн до 152.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
184+66.24 грн
200+62.99 грн
500+58.24 грн
1000+55.73 грн
2000+55.56 грн
4000+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 184
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+68.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5015pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561abe001e9c Description: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.24 грн
10+55.35 грн
100+45.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+74.21 грн
10+68.79 грн
25+68.46 грн
100+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+84.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
114+107.50 грн
119+102.69 грн
250+98.57 грн
500+91.62 грн
1000+82.06 грн
2500+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.0255 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+111.14 грн
250+82.33 грн
1000+60.55 грн
2000+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH5015_DataSheet_v01_01_EN-3363149.pdf MOSFETs 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.58 грн
10+95.37 грн
100+64.95 грн
500+55.12 грн
1000+44.84 грн
2000+42.27 грн
4000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.0255 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.31 грн
50+111.14 грн
250+82.33 грн
1000+60.55 грн
2000+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B51A9A0F40F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5015pbf.pdf?ci_sign=eb6ae4a5494ec8a6c1560e3bc7b19829447ecba1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B51A9A0F40F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5015pbf.pdf?ci_sign=eb6ae4a5494ec8a6c1560e3bc7b19829447ecba1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.