IRFH5015TRPBF

IRFH5015TRPBF Infineon Technologies


irfh5015pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561abe001e9c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5015TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFH5015TRPBF за ціною від 39.21 грн до 165.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+58.06 грн
14+55.44 грн
25+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
213+59.49 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.67 грн
250+58.95 грн
1000+52.74 грн
2000+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+82.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.48 грн
50+71.67 грн
250+58.95 грн
1000+52.74 грн
2000+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
104+122.17 грн
109+116.70 грн
250+112.02 грн
500+104.12 грн
1000+93.26 грн
2500+86.89 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5015pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561abe001e9c Description: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
на замовлення 4477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.47 грн
10+93.18 грн
100+63.06 грн
500+47.07 грн
1000+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFH5015-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.84 грн
10+104.69 грн
100+61.41 грн
500+48.79 грн
1000+45.36 грн
2000+43.84 грн
4000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh5015pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.