IRFH5015TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH5015TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFH5015TRPBF за ціною від 40.09 грн до 176.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFH5015TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFH5015TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V |
на замовлення 7892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC |
на замовлення 2785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH5015TRPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFH5015TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 47.83 грн |
| 25+ | 47.03 грн |
| IRFH5015TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 104.20 грн |
| 250+ | 70.15 грн |
| 1000+ | 48.15 грн |
| 2000+ | 42.90 грн |
| IRFH5015TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 142.76 грн |
| 50+ | 96.81 грн |
| 250+ | 64.98 грн |
| 1000+ | 44.65 грн |
| 2000+ | 40.09 грн |
| IRFH5015TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 92+ | 154.71 грн |
| 100+ | 147.79 грн |
| 250+ | 141.86 грн |
| 500+ | 131.86 грн |
| 1000+ | 118.11 грн |
| 2500+ | 110.03 грн |
| IRFH5015TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
на замовлення 7892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 173.26 грн |
| 10+ | 106.89 грн |
| 100+ | 72.34 грн |
| 500+ | 54.00 грн |
| 1000+ | 49.53 грн |
| 2000+ | 45.77 грн |
| IRFH5015TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC
MOSFETs 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 176.40 грн |
| 10+ | 110.80 грн |
| 100+ | 64.70 грн |
| 500+ | 52.53 грн |
| 1000+ | 47.12 грн |
| 2000+ | 44.02 грн |
| 4000+ | 41.77 грн |
| IRFH5015TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFH5015TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 402+ | 87.79 грн |





