IRFH5015TRPBF Infineon Technologies


irfh5015pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561abe001e9c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5015TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 3.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm.

Інші пропозиції IRFH5015TRPBF за ціною від 44.73 грн до 169.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Infineon Technologies infineonirfh5015datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.83 грн
25+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Infineon Technologies infineonirfh5015datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.71 грн
100+147.79 грн
250+141.86 грн
500+131.86 грн
1000+118.11 грн
2500+110.03 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Infineon Technologies irfh5015pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561abe001e9c Description: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
на замовлення 7892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.33 грн
10+104.46 грн
100+70.69 грн
500+52.77 грн
1000+48.40 грн
2000+44.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRFH5015-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Infineon Technologies infineonirfh5015datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF International Rectifier HiRel Products irfh5015pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561abe001e9c Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF infineonirfh5015datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+47.83 грн
25+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF infineonirfh5015datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
92+154.71 грн
100+147.79 грн
250+141.86 грн
500+131.86 грн
1000+118.11 грн
2500+110.03 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF irfh5015pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561abe001e9c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
на замовлення 7892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+169.33 грн
10+104.46 грн
100+70.69 грн
500+52.77 грн
1000+48.40 грн
2000+44.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF Infineon-IRFH5015-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF INFN-S-A0012813692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF infineonirfh5015datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF INFN-S-A0012813692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF irfh5015pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561abe001e9c
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
402+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.