IRFH5020TRPBF

IRFH5020TRPBF Infineon Technologies


infineon-irfh5020-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+70.17 грн
8000+69.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5020TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFH5020TRPBF за ціною від 47.38 грн до 223.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ac6fe1e9e Description: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+70.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5020-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+75.57 грн
8000+74.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+110.59 грн
500+90.43 грн
1000+68.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.74 грн
10+92.43 грн
100+73.62 грн
500+65.60 грн
1000+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH5020_DataSheet_v01_01_EN-3363006.pdf MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 55mOhms 11nC
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.04 грн
10+93.91 грн
100+65.25 грн
500+62.68 грн
8000+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5020-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+164.12 грн
10+136.75 грн
25+135.73 грн
100+96.25 грн
250+88.22 грн
500+69.47 грн
1000+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5020-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+167.76 грн
100+123.03 грн
500+94.62 грн
1000+81.80 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5020-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+176.74 грн
83+147.27 грн
84+146.18 грн
114+103.65 грн
250+95.01 грн
500+74.81 грн
1000+65.43 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ac6fe1e9e Description: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V
на замовлення 6246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.62 грн
10+139.70 грн
100+96.62 грн
500+73.39 грн
1000+67.84 грн
2000+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5020-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5020-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh5020pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.1A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh5020pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.1A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.