Продукція > INFINEON > IRFH5025TRPBF
IRFH5025TRPBF

IRFH5025TRPBF INFINEON

INFN-S-A0012813145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5025TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.084 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 3.6
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+188.22 грн
500+149.92 грн
1000+122.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5025TRPBF INFINEON

Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRFH5025TRPBF за ціною від 113.35 грн до 318.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH5025TRPBF IRFH5025TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5025pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561acde51ea0 Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.00 грн
10+200.77 грн
100+162.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025TRPBF IRFH5025TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5025TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.084 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.6
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+258.00 грн
10+231.22 грн
100+188.22 грн
500+149.92 грн
1000+122.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025TRPBF IRFH5025TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH5025_DataSheet_v01_01_EN-1732749.pdf MOSFET 250V 1 N-CH HEXFET 5MM X 6MM PQFN
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.68 грн
10+233.52 грн
100+166.90 грн
500+141.86 грн
1000+120.31 грн
2000+115.44 грн
4000+113.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025TRPBF IRFH5025TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5025-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+318.07 грн
10+286.25 грн
25+282.53 грн
100+227.32 грн
250+202.26 грн
500+164.18 грн
1000+147.12 грн
3000+141.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025TRPBF IRFH5025TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5025-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+318.07 грн
49+286.25 грн
50+282.53 грн
100+227.32 грн
250+202.26 грн
500+164.18 грн
1000+147.12 грн
3000+141.62 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025TRPBF IRFH5025TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5025-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025TRPBF IRFH5025TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5025pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561acde51ea0 Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025TRPBF IRFH5025TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh5025pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.8A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.