IRFH5025TRPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRFH5025TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.084 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 3.6
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 191.47 грн |
| 500+ | 152.50 грн |
| 1000+ | 124.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH5025TRPBF INFINEON
Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFH5025TRPBF за ціною від 114.98 грн до 278.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH5025TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V |
на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFH5025TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R |
на замовлення 3788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH5025TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5025TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.084 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.6 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 11421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH5025TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R |
на замовлення 3788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFH5025TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 250V 1 N-CH HEXFET 5MM X 6MM PQFN |
на замовлення 3987 шт: термін постачання 189-198 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFH5025TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFH5025TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IRFH5025TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.8A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 3.8A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFH5025TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFH5025TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFH5025TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.8A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 3.8A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel |
товару немає в наявності |