IRFH5053TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH5053TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA, Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFH5053TRPBF за ціною від 55.47 грн до 202.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 24nC |
на замовлення 2133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V |
на замовлення 6455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFH5053TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 76.31 грн |
| IRFH5053TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 76.31 грн |
| IRFH5053TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 24nC
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 24nC
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 171.04 грн |
| 10+ | 125.64 грн |
| 100+ | 78.94 грн |
| 500+ | 63.01 грн |
| 1000+ | 55.47 грн |
| IRFH5053TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V
на замовлення 6455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.99 грн |
| 10+ | 126.14 грн |
| 100+ | 86.75 грн |
| 500+ | 65.59 грн |
| 1000+ | 60.50 грн |
| 2000+ | 56.23 грн |




