IRFH5053TRPBF Infineon Technologies


irfh5053pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ad6851ea2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+61.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5053TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA, Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRFH5053TRPBF за ціною від 55.47 грн до 202.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFH5053TRPBF IRFH5053TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+76.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5053TRPBF IRFH5053TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+76.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5053TRPBF IRFH5053TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFH5053_DataSheet_v01_01_EN-3363323.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 24nC
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.04 грн
10+125.64 грн
100+78.94 грн
500+63.01 грн
1000+55.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5053TRPBF IRFH5053TRPBF Infineon Technologies irfh5053pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ad6851ea2 Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V
на замовлення 6455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.99 грн
10+126.14 грн
100+86.75 грн
500+65.59 грн
1000+60.50 грн
2000+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5053TRPBF irfr5410pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+76.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5053TRPBF irfr5410pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+76.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5053TRPBF Infineon_IRFH5053_DataSheet_v01_01_EN-3363323.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 24nC
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+171.04 грн
10+125.64 грн
100+78.94 грн
500+63.01 грн
1000+55.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5053TRPBF irfh5053pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ad6851ea2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V
на замовлення 6455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+202.99 грн
10+126.14 грн
100+86.75 грн
500+65.59 грн
1000+60.50 грн
2000+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.