IRFH5110TRPBF

IRFH5110TRPBF Infineon Technologies


infineon-irfh5110-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
110+111.84 грн
120+101.68 грн
147+83.37 грн
200+75.20 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5110TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0103 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IRFH5110TRPBF за ціною від 55.18 грн до 147.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH5110TRPBF IRFH5110TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH5110_DataSheet_v01_01_EN-3363030.pdf MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 48nC
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.61 грн
100+125.21 грн
500+92.70 грн
1000+59.22 грн
2000+57.60 грн
4000+56.28 грн
8000+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5110TRPBF IRFH5110TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012812984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0103 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.73 грн
10+144.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5110TRPBF IRFH5110TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 10V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5110TRPBF IRFH5110TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 10V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5110TRPBF IRFH5110TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5110TRPBF IRFH5110TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh5110pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5110TRPBF IRFH5110TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561aec951ea8 Description: MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3152 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5110TRPBF IRFH5110TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh5110pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.