IRFH5110TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 110+ | 111.57 грн |
| 120+ | 101.43 грн |
| 147+ | 83.17 грн |
| 200+ | 75.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH5110TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH5110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0103 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRFH5110TRPBF за ціною від 55.04 грн до 135.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH5110TRPBF | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRFH5110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0103 ohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH5110TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 48nC |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5110TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0103 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRFH5110TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 10V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH5110TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 10V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH5110TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRFH5110TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRFH5110TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3152 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH5110TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |