IRFH5206TR2PBF

IRFH5206TR2PBF Infineon Technologies


35760140375386656irfh5206pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5206TR2PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 89A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFH5206TR2PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH5206TR2PBF IRFH5206TR2PBF Виробник : Infineon Technologies irfh5206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561afcd01eac Description: MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5206TR2PBF IRFH5206TR2PBF Виробник : Infineon / IR irfh5206pbf-1169552.pdf MOSFET MOSFT 60V 87A 7mOhm 40nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.