IRFH5210TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 32.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH5210TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0126 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFH5210TRPBF за ціною від 29.91 грн до 141.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH5210TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5210TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5210TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5210TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH5210TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC |
на замовлення 3908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5210TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5210TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V |
на замовлення 5303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH5210TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0126 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5210TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 11900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5210TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH5210TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |