Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH5210TRPBF
IRFH5210TRPBF

IRFH5210TRPBF Infineon Technologies

irfh5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b0c461eb0
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5210TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0149 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 104W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm.

Інші пропозиції IRFH5210TRPBF за ціною від 35.01 грн до 155.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+62.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+90.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Infineon Technologies irfh5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b0c461eb0 Description: MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V
на замовлення 5303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.47 грн
10+82.94 грн
100+55.82 грн
500+41.48 грн
1000+37.97 грн
2000+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+152.67 грн
139+101.15 грн
200+90.48 грн
500+66.92 грн
1000+58.54 грн
2000+46.72 грн
4000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Infineon Technologies infineonirfh5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+155.12 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Infineon Technologies infineonirfh5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+155.12 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0149 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFH5210_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC
на замовлення 5639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0149 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFH5210TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFH5210TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+62.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFH5210TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+90.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF irfh5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b0c461eb0
IRFH5210TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V
на замовлення 5303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.47 грн
10+82.94 грн
100+55.82 грн
500+41.48 грн
1000+37.97 грн
2000+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFH5210TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+152.67 грн
139+101.15 грн
200+90.48 грн
500+66.92 грн
1000+58.54 грн
2000+46.72 грн
4000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF infineonirfh5210datasheetv0101en.pdf
IRFH5210TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
91+155.12 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF infineonirfh5210datasheetv0101en.pdf
IRFH5210TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
166+155.12 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF INFN-S-A0012813298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5210TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0149 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF Infineon_IRFH5210_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFH5210TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC
на замовлення 5639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF INFN-S-A0012813298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5210TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0149 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.