IRFH5210TRPBF

IRFH5210TRPBF Infineon Technologies


infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5210TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0126 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFH5210TRPBF за ціною від 38.04 грн до 160.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+56.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+78.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0126 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.56 грн
500+60.71 грн
1000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
143+85.24 грн
150+81.43 грн
250+78.16 грн
500+72.65 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+105.16 грн
121+100.46 грн
250+96.43 грн
500+89.63 грн
1000+80.28 грн
2500+74.80 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 11950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
108+113.33 грн
116+105.23 грн
128+94.91 грн
200+86.45 грн
500+69.75 грн
1000+60.27 грн
2000+51.52 грн
4000+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH5210_DataSheet_v01_01_EN-3363185.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC
на замовлення 7315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.42 грн
10+101.88 грн
100+68.75 грн
500+57.18 грн
1000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b0c461eb0 Description: MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.26 грн
10+84.12 грн
100+61.01 грн
500+45.28 грн
1000+39.23 грн
2000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0126 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.15 грн
10+108.41 грн
100+81.56 грн
500+60.71 грн
1000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh5210pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b0c461eb0 Description: MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh5210pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.