Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH5215TRPBF
IRFH5215TRPBF

IRFH5215TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh5215-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5215TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5215TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.0455 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0455ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IRFH5215TRPBF за ціною від 64.51 грн до 174.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5215-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+83.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5215-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
117+104.99 грн
122+100.32 грн
137+89.51 грн
200+83.00 грн
500+76.67 грн
1000+68.53 грн
2000+65.67 грн
4000+64.51 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5215-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
273+112.11 грн
500+100.90 грн
1000+93.06 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5215-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
273+112.11 грн
500+100.90 грн
1000+93.06 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5215-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
273+112.11 грн
500+100.90 грн
1000+93.06 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5215-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
273+112.11 грн
500+100.90 грн
1000+93.06 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5215TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.0455 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0455ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+121.90 грн
500+98.26 грн
1000+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5215TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.0455 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0455ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.76 грн
10+129.52 грн
100+121.90 грн
500+98.26 грн
1000+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5215-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+159.05 грн
85+144.51 грн
105+117.47 грн
200+106.26 грн
1000+87.35 грн
2000+78.24 грн
4000+76.18 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH5215_DataSheet_v01_01_EN-3166283.pdf MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 20nC
на замовлення 3973 шт:
термін постачання 211-220 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.31 грн
10+155.34 грн
100+108.66 грн
500+89.04 грн
1000+73.80 грн
2000+68.37 грн
4000+67.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5215-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5215-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B665D24C3DF1A303005056AB0C4F&compId=irfh5215pbf.pdf?ci_sign=700a7ad6fc2e7d49a82f6b799e9ffda69ebdb8f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b15111eb2 Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b15111eb2 Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B665D24C3DF1A303005056AB0C4F&compId=irfh5215pbf.pdf?ci_sign=700a7ad6fc2e7d49a82f6b799e9ffda69ebdb8f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.