Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH5215TRPBF
IRFH5215TRPBF

IRFH5215TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh5215-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5215TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: PQFN (5x6), Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRFH5215TRPBF за ціною від 48.90 грн до 169.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5215-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+72.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5215TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.0455 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0455ohm
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.77 грн
500+68.50 грн
1000+49.89 грн
5000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5215-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
117+104.49 грн
122+99.84 грн
137+89.08 грн
200+82.60 грн
500+76.30 грн
1000+68.20 грн
2000+65.36 грн
4000+64.20 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5215TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.0455 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0455ohm
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.66 грн
10+112.79 грн
100+80.77 грн
500+68.50 грн
1000+49.89 грн
5000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5215-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+158.29 грн
85+143.81 грн
105+116.90 грн
200+105.75 грн
1000+86.93 грн
2000+77.86 грн
4000+75.82 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH5215_DataSheet_v01_01_EN-3166283.pdf MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 20nC
на замовлення 3973 шт:
термін постачання 211-220 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.53 грн
10+151.08 грн
100+105.68 грн
500+86.60 грн
1000+71.78 грн
2000+66.49 грн
4000+65.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5215-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5215-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh5215pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b15111eb2 Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b15111eb2 Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh5215pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.