Продукція > INFINEON > IRFH5250DTRPBF

IRFH5250DTRPBF INFINEON


IRSD-S-A0001030640-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5250DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+72.91 грн
1000+65.97 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5250DTRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRFH5250DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRFH5250DTRPBF за ціною від 63.81 грн до 114.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH5250DTRPBF IRFH5250DTRPBF International Rectifier IRSD-S-A0001030640-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+81.97 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250DTRPBF IRFH5250DTRPBF INFINEON IRSD-S-A0001030640-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IRFH5250DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.87 грн
100+80.82 грн
500+72.91 грн
1000+65.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250DTRPBF IRFH5250DTRPBF Infineon Technologies infineonirfh5250ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.08 грн
184+76.72 грн
186+75.95 грн
500+72.51 грн
1000+66.47 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250DTRPBF IRFH5250DTRPBF Infineon Technologies infineonirfh5250ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.66 грн
10+84.08 грн
25+76.72 грн
100+73.24 грн
500+67.14 грн
1000+63.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250DTRPBF IRFH5250DTRPBF Infineon Technologies infineonirfh5250ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+114.29 грн
500+102.86 грн
1000+94.86 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250DTRPBF International Rectifier HiRel Products IRSD-S-A0001030640-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+114.29 грн
500+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250DTRPBF IRSD-S-A0001030640-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier
Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
247+81.97 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250DTRPBF IRSD-S-A0001030640-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5250DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+82.87 грн
100+80.82 грн
500+72.91 грн
1000+65.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250DTRPBF infineonirfh5250ddatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
168+84.08 грн
184+76.72 грн
186+75.95 грн
500+72.51 грн
1000+66.47 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250DTRPBF infineonirfh5250ddatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+97.66 грн
10+84.08 грн
25+76.72 грн
100+73.24 грн
500+67.14 грн
1000+63.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250DTRPBF infineonirfh5250ddatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
309+114.29 грн
500+102.86 грн
1000+94.86 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250DTRPBF IRSD-S-A0001030640-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
309+114.29 грн
500+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.