Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH5250TRPBF

IRFH5250TRPBF Infineon Technologies

Name: IRFH5250TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 10728738-5
Price: 12403.96 UAH
Availability: InStock

infineon-irfh5250-datasheet-v02_04-en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
361+	34.36 грн
376+	32.98 грн
500+	31.79 грн
1000+	29.66 грн
2500+	26.65 грн

Мінімальне замовлення: 361

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFH5250TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFH5250TRPBF за ціною від 42.08 грн до 172.84 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

irfh5250pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b2c791eb8

Description: MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	43.66 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	46.69 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	57.68 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	64.12 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	71.15 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0011703006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm

на замовлення 3623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	88.24 грн
500+	71.51 грн
1000+	51.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	110.51 грн
10+	86.53 грн
100+	64.25 грн
500+	54.65 грн
1000+	50.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V

на замовлення 8952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	159.44 грн
10+	98.24 грн
100+	66.77 грн
500+	50.03 грн
1000+	48.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
73+	170.81 грн
114+	108.92 грн
123+	100.67 грн
200+	71.61 грн
500+	62.62 грн
1000+	50.78 грн
2000+	47.95 грн

Мінімальне замовлення: 73

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 1.15mOhms 52nC

на замовлення 2217 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	172.84 грн
10+	108.90 грн
100+	64.30 грн
500+	51.40 грн
1000+	49.56 грн
4000+	42.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B6BCA3E4D2F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5250pbf.pdf?ci_sign=c6bcf5bec11fd72e95d8b9f2ed53f6c2dd09f369

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 45A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.