Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH5250TRPBF
IRFH5250TRPBF

IRFH5250TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh5250-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5250TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFH5250TRPBF за ціною від 42.76 грн до 174.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5250pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b2c791eb8 Description: MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+45.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5250-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+53.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5250-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+56.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5250-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
156+78.70 грн
163+75.17 грн
250+72.16 грн
500+67.08 грн
1000+60.08 грн
2500+55.97 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0011703006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 3623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.00 грн
500+68.89 грн
1000+49.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0011703006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.46 грн
10+83.35 грн
100+61.90 грн
500+52.65 грн
1000+48.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5250-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+106.76 грн
124+99.14 грн
166+73.72 грн
200+67.16 грн
500+60.46 грн
1000+56.82 грн
2000+55.60 грн
4000+55.52 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5250pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b2c791eb8 Description: MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.96 грн
10+98.70 грн
100+67.10 грн
500+50.27 грн
1000+45.02 грн
2000+42.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH5250_DataSheet_v02_04_EN-3363088.pdf MOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 1.15mOhms 52nC
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.23 грн
10+112.52 грн
100+66.43 грн
500+52.97 грн
1000+45.10 грн
4000+44.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5250-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5250-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh5250pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 45A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh5250pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 45A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.