Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH5250TRPBF

IRFH5250TRPBF Infineon Technologies

Name: IRFH5250TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2217648-3
Price: 172040 UAH
Availability: InStock

irfh5250pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b2c791eb8

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	43.01 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFH5250TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFH5250TRPBF за ціною від 44.62 грн до 180.66 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

infineon-irfh5250-datasheet-v02_04-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	44.87 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	52.90 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	56.72 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
156+	78.51 грн
163+	74.99 грн
250+	71.99 грн
500+	66.92 грн
1000+	59.94 грн
2500+	55.84 грн

Мінімальне замовлення: 156

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0011703006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm

на замовлення 3623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	84.80 грн
500+	68.73 грн
1000+	49.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	106.21 грн
10+	83.15 грн
100+	61.75 грн
500+	52.52 грн
1000+	48.41 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
115+	106.50 грн
124+	98.90 грн
166+	73.54 грн
200+	67.00 грн
500+	60.31 грн
1000+	56.68 грн
2000+	55.47 грн
4000+	55.38 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	157.19 грн
10+	96.78 грн
100+	65.78 грн
500+	49.28 грн
1000+	47.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRFH5250_DataSheet_v02_04_EN-3363088.pdf

MOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 1.15mOhms 52nC

на замовлення 2487 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	180.66 грн
10+	114.78 грн
100+	67.59 грн
500+	54.53 грн
1000+	51.74 грн
4000+	44.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B6BCA3E4D2F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5250pbf.pdf?ci_sign=c6bcf5bec11fd72e95d8b9f2ed53f6c2dd09f369

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Case: PQFN5X6
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 45A
кількість в упаковці: 4000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.