 
IRFH5300TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 4000+ | 40.27 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH5300TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025). 
Інші пропозиції IRFH5300TRPBF за ціною від 31.13 грн до 140.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | IRFH5300TRPBF | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5833 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH5300TRPBF | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5833 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH5300TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3787 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH5300TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V | на замовлення 3548 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH5300TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  MOSFETs 30V SINGLE N-CH 1.4mOhms 50nC | на замовлення 6555 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH5300TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 35881 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFH5300TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | IRFH5300TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | IRFH5300TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | IRFH5300TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | IRFH5300TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності |