IRFH5300TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH5300TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm.
Інші пропозиції IRFH5300TRPBF за ціною від 39.45 грн до 161.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 18932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V |
на замовлення 7689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 35881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 35881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V SINGLE N-CH 1.4mOhms 50nC |
на замовлення 20043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
IRFH5300TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm |
на замовлення 3768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IRFH5300TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm |
на замовлення 3768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFH5300TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 56.43 грн |
| IRFH5300TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 499+ | 70.90 грн |
| 555+ | 63.82 грн |
| 1000+ | 58.84 грн |
| IRFH5300TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 18932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 499+ | 70.90 грн |
| 555+ | 63.82 грн |
| 1000+ | 58.84 грн |
| 10000+ | 50.59 грн |
| IRFH5300TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 94.47 грн |
| IRFH5300TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 121+ | 117.66 грн |
| 126+ | 112.40 грн |
| 250+ | 107.90 грн |
| 500+ | 100.28 грн |
| 1000+ | 89.83 грн |
| 2500+ | 83.68 грн |
| IRFH5300TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 7689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 129.33 грн |
| 10+ | 79.33 грн |
| 50+ | 59.60 грн |
| 100+ | 49.94 грн |
| 500+ | 39.45 грн |
| IRFH5300TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 35881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 161.85 грн |
| 10+ | 85.29 грн |
| 100+ | 77.57 грн |
| 500+ | 60.25 грн |
| 1000+ | 55.22 грн |
| 2000+ | 51.13 грн |
| 4000+ | 41.65 грн |
| IRFH5300TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 35881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 88+ | 161.85 грн |
| 166+ | 85.29 грн |
| 183+ | 77.57 грн |
| 500+ | 60.25 грн |
| 1000+ | 55.22 грн |
| 2000+ | 51.13 грн |
| 4000+ | 41.65 грн |
| IRFH5300TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V SINGLE N-CH 1.4mOhms 50nC
MOSFETs 30V SINGLE N-CH 1.4mOhms 50nC
на замовлення 20043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFH5300TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 3768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFH5300TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 3768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)