IRFH5300TRPBF

IRFH5300TRPBF Infineon Technologies


infineon-irfh5300-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5300TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFH5300TRPBF за ціною від 31.13 грн до 140.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0011842197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.17 грн
500+41.84 грн
1000+35.32 грн
5000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0011842197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.08 грн
11+85.24 грн
100+61.17 грн
500+41.84 грн
1000+35.32 грн
5000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfh5300datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+117.21 грн
111+111.97 грн
250+107.49 грн
500+99.90 грн
1000+89.49 грн
2500+83.37 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5300pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b3e141ebc Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 3548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.17 грн
10+84.24 грн
100+56.81 грн
500+42.28 грн
1000+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFH5300-DataSheet-v02_04-EN.pdf MOSFETs 30V SINGLE N-CH 1.4mOhms 50nC
на замовлення 6555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.88 грн
10+91.34 грн
100+54.22 грн
500+43.38 грн
1000+39.63 грн
2000+39.25 грн
4000+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfh5300datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 35881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+140.28 грн
128+97.37 грн
200+88.29 грн
500+64.29 грн
1000+58.35 грн
2000+44.77 грн
4000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5300-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfh5300datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfh5300datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5300pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b3e141ebc Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B6FA6CAF00F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5300pbf.pdf?ci_sign=16877abd46adde0d05dd5636df9b1e140cef2b47 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.