 
IRFH5301TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 4000+ | 30.74 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH5301TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00185 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00185ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025). 
Інші пропозиції IRFH5301TRPBF за ціною від 27.17 грн до 83.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 6000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 20000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 20000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4160 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 6000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V | на замовлення 6889 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC | на замовлення 2842 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | IRFH5301TRPBF | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00185 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00185ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 11741 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 22998 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 10106 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | IRFH5301TRPBF | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00185 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00185ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 11741 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||
|   | IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||
|   | IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||
|   | IRFH5301TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel | товару немає в наявності |