Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH5301TRPBF
IRFH5301TRPBF

IRFH5301TRPBF Infineon Technologies

infineonirfh5301datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
553+25.62 грн
561+25.22 грн
570+24.83 грн
579+23.56 грн
589+21.46 грн
1000+20.26 грн
3000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 553 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5301TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 110W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm.

Інші пропозиції IRFH5301TRPBF за ціною від 19.92 грн до 134.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Infineon Technologies infineonirfh5301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.48 грн
8000+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Infineon Technologies infineonirfh5301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.63 грн
8000+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Infineon Technologies infineonirfh5301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.64 грн
29+26.01 грн
30+24.32 грн
100+22.17 грн
250+20.94 грн
500+20.60 грн
1000+20.26 грн
3000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF INFINEON INFN-S-A0012814063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
на замовлення 11732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.70 грн
250+49.83 грн
1000+36.12 грн
2000+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF INFINEON INFN-S-A0012814063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
на замовлення 11732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.06 грн
50+84.70 грн
250+49.83 грн
1000+36.12 грн
2000+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFH5301_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.75 грн
10+81.87 грн
100+41.87 грн
500+33.55 грн
1000+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Infineon Technologies irfh5301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b477b1ebe Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.00 грн
10+81.70 грн
100+54.82 грн
500+40.65 грн
1000+37.18 грн
2000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF infineonirfh5301datasheetv0101en.pdf
IRFH5301TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+31.48 грн
8000+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF infineonirfh5301datasheetv0101en.pdf
IRFH5301TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+31.63 грн
8000+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF infineonirfh5301datasheetv0101en.pdf
IRFH5301TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+38.64 грн
29+26.01 грн
30+24.32 грн
100+22.17 грн
250+20.94 грн
500+20.60 грн
1000+20.26 грн
3000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF INFN-S-A0012814063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5301TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
на замовлення 11732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+84.70 грн
250+49.83 грн
1000+36.12 грн
2000+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF INFN-S-A0012814063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5301TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
на замовлення 11732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+120.06 грн
50+84.70 грн
250+49.83 грн
1000+36.12 грн
2000+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF Infineon_IRFH5301_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFH5301TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+130.75 грн
10+81.87 грн
100+41.87 грн
500+33.55 грн
1000+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF irfh5301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b477b1ebe
IRFH5301TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+134.00 грн
10+81.70 грн
100+54.82 грн
500+40.65 грн
1000+37.18 грн
2000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.