Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH5301TRPBF
IRFH5301TRPBF

IRFH5301TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh5301-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5301TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00185 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00185ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFH5301TRPBF за ціною від 26.78 грн до 83.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfh5301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
339+36.02 грн
366+33.37 грн
371+31.74 грн
500+28.91 грн
1000+27.43 грн
3000+27.11 грн
6000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 339
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfh5301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfh5301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfh5301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+40.59 грн
327+37.34 грн
335+36.52 грн
500+32.71 грн
1000+29.78 грн
4000+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfh5301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+41.16 грн
19+38.51 грн
25+38.30 грн
100+34.16 грн
250+31.49 грн
500+29.30 грн
1000+29.10 грн
3000+28.89 грн
6000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfh5301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 22998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
492+62.05 грн
547+55.84 грн
1000+51.50 грн
10000+44.27 грн
Мінімальне замовлення: 492
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfh5301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 10106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
492+62.05 грн
547+55.84 грн
1000+51.50 грн
10000+44.27 грн
Мінімальне замовлення: 492
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012814063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00185 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.37 грн
250+47.93 грн
1000+39.51 грн
2000+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFH5301-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.65 грн
10+59.82 грн
100+38.46 грн
500+36.48 грн
1000+33.66 грн
2000+33.44 грн
4000+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b477b1ebe Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.92 грн
10+56.33 грн
100+42.55 грн
500+37.86 грн
1000+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012814063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00185 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+83.39 грн
50+62.37 грн
250+47.93 грн
1000+39.51 грн
2000+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B71727F19FF1A303005056AB0C4F&compId=irfh5301pbf.pdf?ci_sign=69f6e6f9e392415bb914073c39b2b8b923255e3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b477b1ebe Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5301-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfh5301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B71727F19FF1A303005056AB0C4F&compId=irfh5301pbf.pdf?ci_sign=69f6e6f9e392415bb914073c39b2b8b923255e3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.