Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH5301TRPBF

IRFH5301TRPBF Infineon Technologies

Name: IRFH5301TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2007449-5
Price: 13913.48 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 5998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
553+	25.16 грн
561+	24.77 грн
570+	24.38 грн
579+	23.14 грн
589+	21.08 грн
1000+	19.90 грн
3000+	19.57 грн

Мінімальне замовлення: 553

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFH5301TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00185 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00185ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFH5301TRPBF за ціною від 19.57 грн до 131.62 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRFH5301TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	30.92 грн
8000+	30.62 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	31.07 грн
8000+	30.77 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 5998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	37.95 грн
29+	25.55 грн
30+	23.89 грн
100+	21.77 грн
250+	20.57 грн
500+	20.23 грн
1000+	19.90 грн
3000+	19.57 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	41.91 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
301+	46.21 грн
327+	42.51 грн
335+	41.58 грн
500+	37.24 грн
1000+	33.90 грн
4000+	30.96 грн

Мінімальне замовлення: 301

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012814063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00185 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	58.96 грн
250+	45.31 грн
1000+	37.35 грн
2000+	33.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 22998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
492+	70.64 грн
547+	63.58 грн
1000+	58.63 грн
10000+	50.40 грн

Мінімальне замовлення: 492

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 10106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
492+	70.64 грн
547+	63.58 грн
1000+	58.63 грн
10000+	50.40 грн

Мінімальне замовлення: 492

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Виробник : INFINEON

на замовлення 11741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	78.83 грн
50+	58.96 грн
250+	45.31 грн
1000+	37.35 грн
2000+	33.99 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC

на замовлення 2167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	128.42 грн
10+	80.41 грн
100+	41.12 грн
500+	32.95 грн
1000+	30.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

irfh5301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b477b1ebe

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V

на замовлення 4668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	131.62 грн
10+	80.25 грн
100+	53.84 грн
500+	39.93 грн
1000+	36.51 грн
2000+	33.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.