IRFH5301TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 553+ | 25.45 грн |
| 561+ | 25.05 грн |
| 570+ | 24.66 грн |
| 579+ | 23.40 грн |
| 589+ | 21.32 грн |
| 1000+ | 20.13 грн |
| 3000+ | 19.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH5301TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 110W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm.
Інші пропозиції IRFH5301TRPBF за ціною від 19.79 грн до 130.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 5998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 22998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 10106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V |
на замовлення 4668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC |
на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
IRFH5301TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm |
на замовлення 11732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
IRFH5301TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm |
на замовлення 11732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFH5301TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 31.27 грн |
| 8000+ | 30.96 грн |
| IRFH5301TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 31.42 грн |
| 8000+ | 31.11 грн |
| IRFH5301TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 38.38 грн |
| 29+ | 25.84 грн |
| 30+ | 24.16 грн |
| 100+ | 22.02 грн |
| 250+ | 20.80 грн |
| 500+ | 20.46 грн |
| 1000+ | 20.13 грн |
| 3000+ | 19.79 грн |
| IRFH5301TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 42.38 грн |
| IRFH5301TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 301+ | 46.74 грн |
| 327+ | 42.99 грн |
| 335+ | 42.05 грн |
| 500+ | 37.66 грн |
| 1000+ | 34.29 грн |
| 4000+ | 31.31 грн |
| IRFH5301TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 22998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 492+ | 71.44 грн |
| 547+ | 64.30 грн |
| 1000+ | 59.30 грн |
| 10000+ | 50.97 грн |
| IRFH5301TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 10106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 492+ | 71.44 грн |
| 547+ | 64.30 грн |
| 1000+ | 59.30 грн |
| 10000+ | 50.97 грн |
| IRFH5301TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 130.08 грн |
| 10+ | 79.31 грн |
| 100+ | 53.21 грн |
| 500+ | 39.46 грн |
| 1000+ | 36.09 грн |
| 2000+ | 33.25 грн |
| IRFH5301TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFH5301TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
на замовлення 11732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFH5301TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
на замовлення 11732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)