Продукція > INFINEON > IRFH5302TRPBF
IRFH5302TRPBF

IRFH5302TRPBF INFINEON

INFN-S-A0012003904-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+51.48 грн
500+34.67 грн
1000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5302TRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm.

Інші пропозиції IRFH5302TRPBF за ціною від 30.59 грн до 123.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Infineon Technologies infineonirfh5302datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+61.45 грн
233+60.84 грн
281+50.42 грн
284+48.13 грн
500+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Infineon Technologies infineonirfh5302datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+71.09 грн
553+63.98 грн
1000+59.01 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Infineon Technologies infineonirfh5302datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.33 грн
13+61.45 грн
25+60.84 грн
100+48.62 грн
250+44.56 грн
500+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF INFINEON INFN-S-A0012003904-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.94 грн
11+75.40 грн
100+51.48 грн
500+34.67 грн
1000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Infineon Technologies irfh5302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b58dc1ec3 Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.70 грн
10+51.31 грн
100+38.90 грн
500+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF infineonirfh5302datasheetv0202en.pdf
IRFH5302TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
231+61.45 грн
233+60.84 грн
281+50.42 грн
284+48.13 грн
500+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF infineonirfh5302datasheetv0202en.pdf
IRFH5302TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
498+71.09 грн
553+63.98 грн
1000+59.01 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF infineonirfh5302datasheetv0202en.pdf
IRFH5302TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+72.33 грн
13+61.45 грн
25+60.84 грн
100+48.62 грн
250+44.56 грн
500+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF INFN-S-A0012003904-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5302TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+115.94 грн
11+75.40 грн
100+51.48 грн
500+34.67 грн
1000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF irfh5302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b58dc1ec3
IRFH5302TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+123.70 грн
10+51.31 грн
100+38.90 грн
500+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.