Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH5302TRPBF

IRFH5302TRPBF Infineon Technologies

Name: IRFH5302TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 152611-7
Price: 119760.00 UAH
Availability: InStock

infineon-irfh5302-datasheet-v01_00-en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	29.94 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFH5302TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFH5302TRPBF за ціною від 28.80 грн до 128.87 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRFH5302TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
301+	41.18 грн

Мінімальне замовлення: 301

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
295+	42.00 грн
355+	34.90 грн

Мінімальне замовлення: 295

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012003904-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	42.83 грн
500+	35.40 грн
1000+	32.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	43.93 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	47.04 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
14+	53.66 грн
17+	44.12 грн
25+	43.85 грн
100+	39.22 грн
250+	35.84 грн
500+	28.80 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 1730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
498+	62.21 грн
553+	55.99 грн
1000+	51.64 грн

Мінімальне замовлення: 498

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Виробник : INFINEON

на замовлення 3960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	109.66 грн
15+	58.43 грн
100+	42.83 грн
500+	35.40 грн
1000+	32.02 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon-IRFH5302-DataSheet-v02_02-EN.pdf

MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC

на замовлення 1008 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	114.04 грн
10+	57.96 грн
100+	37.80 грн
500+	36.58 грн
2000+	33.75 грн
4000+	30.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

irfh5302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b58dc1ec3

Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V

на замовлення 819 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	128.87 грн
10+	53.46 грн
100+	40.52 грн
500+	36.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Виробник : International Rectifier Corporation

HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0021 Ohm, PQFN-8

на замовлення 2 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B750AF2BF3F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5302pbf.pdf?ci_sign=168686822e44708888b38f507989100363ce9544

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.