IRFH5302TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 28.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH5302TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFH5302TRPBF за ціною від 24.51 грн до 137.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH5302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 7790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH5302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 7790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH5302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH5302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH5302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFH5302TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH5302TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFH5302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V |
на замовлення 3632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFH5302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC |
на замовлення 1676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0021 Ohm, PQFN-8 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH5302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFH5302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFH5302TRPBF SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH5302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |