Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH5302TRPBF
IRFH5302TRPBF

IRFH5302TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh5302-datasheet-v01_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5302TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFH5302TRPBF за ціною від 25.76 грн до 141.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5302-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5302-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5302-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+30.43 грн
402+30.35 грн
500+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5302-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+32.00 грн
25+31.51 грн
100+29.92 грн
250+27.27 грн
500+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5302-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
354+34.46 грн
359+33.93 грн
365+33.42 грн
371+31.71 грн
500+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 354
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012003904-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.87 грн
500+34.78 грн
1000+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5302-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
499+61.02 грн
555+54.92 грн
1000+50.64 грн
Мінімальне замовлення: 499
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b58dc1ec3 Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.85 грн
10+51.37 грн
100+38.94 грн
500+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012003904-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.02 грн
14+59.61 грн
100+44.87 грн
500+34.78 грн
1000+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH5302_DataSheet_v02_02_EN-3363017.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.28 грн
10+60.09 грн
100+39.63 грн
500+36.26 грн
1000+34.42 грн
2000+32.22 грн
4000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irfh5302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b58dc1ec3 HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0021 Ohm, PQFN-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5302-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5302-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B750AF2BF3F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5302pbf.pdf?ci_sign=168686822e44708888b38f507989100363ce9544 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b58dc1ec3 Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B750AF2BF3F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5302pbf.pdf?ci_sign=168686822e44708888b38f507989100363ce9544 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.