Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH5304TRPBF
IRFH5304TRPBF

IRFH5304TRPBF Infineon Technologies

irfh5304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b6a2a1ec7 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V
на замовлення 10924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
667+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 667
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5304TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V.

Інші пропозиції IRFH5304TRPBF за ціною від 27.17 грн до 77.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH5304TRPBF IRFH5304TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5304-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 14924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
771+40.15 грн
1000+37.04 грн
10000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 771
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBF IRFH5304TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012490484-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5304TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 79 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 46
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.09 грн
500+39.93 грн
1000+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBF IRFH5304TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5304-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
194+64.11 грн
304+40.85 грн
500+34.99 грн
1000+31.99 грн
2000+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBF IRFH5304TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH5304_DataSheet_v02_04_EN-1732766.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 16nC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.87 грн
10+68.41 грн
100+46.43 грн
500+38.34 грн
1000+30.32 грн
2000+28.26 грн
4000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b6a2a1ec7 MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBF IRFH5304TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5304-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBF IRFH5304TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5304-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBF IRFH5304TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b6a2a1ec7 Description: MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBF IRFH5304TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b6a2a1ec7 Description: MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBF IRFH5304TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B8DB432F7FF1A303005056AB0C4F&compId=irfh5304pbf.pdf?ci_sign=079e791adf6bc18ca27c2f430c26034f8cc54991 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.