Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > IRFH6200TRPBF

IRFH6200TRPBF

irfh6200pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e9b131ed0
Код товару: 150522
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFH6200TRPBF за ціною від 44.31 грн до 207.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh6200-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+61.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh6200-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+70.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh6200-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+70.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : INFINEON irfh6200pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e9b131ed0 Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 750 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.24 грн
500+56.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh6200-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
340+102.24 грн
500+92.02 грн
1000+84.87 грн
Мінімальне замовлення: 340
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh6200-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
340+102.24 грн
500+92.02 грн
1000+84.87 грн
Мінімальне замовлення: 340
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : INFINEON irfh6200pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e9b131ed0 Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 750 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+163.95 грн
10+112.26 грн
100+76.24 грн
500+56.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh6200pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e9b131ed0 Description: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.44 грн
10+103.49 грн
100+70.54 грн
500+52.95 грн
1000+48.69 грн
2000+48.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH6200_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 20V SINGLE N-CH 1.2mOhms 155nC
на замовлення 17385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.41 грн
10+109.07 грн
100+67.29 грн
500+53.51 грн
1000+49.22 грн
2000+46.66 грн
4000+44.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh6200-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+207.45 грн
105+132.43 грн
116+120.39 грн
200+87.52 грн
500+75.74 грн
1000+63.12 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh6200-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh6200-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh6200pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e9b131ed0 Description: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh6200pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 45A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.