IRFH6200TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 45.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH6200TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 750 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFH6200TRPBF за ціною від 49.48 грн до 237.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH6200TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH6200TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH6200TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH6200TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH6200TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 750 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH6200TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 20V SINGLE N-CH 1.2mOhms 155nC |
на замовлення 24064 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH6200TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V |
на замовлення 5258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH6200TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 750 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH6200TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFH6200TRPBF Код товару: 150522
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRFH6200TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRFH6200TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH6200TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRFH6200TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFH6200TRPBF SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |