Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > IRFH6200TRPBF

IRFH6200TRPBF

irfh6200pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e9b131ed0
Код товару: 150522
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFH6200TRPBF за ціною від 45.11 грн до 175.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813949-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 3662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.61 грн
500+60.63 грн
1000+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Infineon Technologies irfh6200pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e9b131ed0 Description: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.48 грн
10+105.37 грн
100+71.82 грн
500+53.91 грн
1000+49.57 грн
2000+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFH6200_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 20V SINGLE N-CH 1.2mOhms 155nC
на замовлення 17385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.50 грн
10+111.05 грн
100+68.51 грн
500+54.48 грн
1000+50.11 грн
2000+47.51 грн
4000+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813949-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 3662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.97 грн
10+107.72 грн
100+78.61 грн
500+60.63 грн
1000+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF INFN-S-A0012813949-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH6200TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 3662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+78.61 грн
500+60.63 грн
1000+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF irfh6200pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e9b131ed0
IRFH6200TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+170.48 грн
10+105.37 грн
100+71.82 грн
500+53.91 грн
1000+49.57 грн
2000+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF Infineon_IRFH6200_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFH6200TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 20V SINGLE N-CH 1.2mOhms 155nC
на замовлення 17385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+173.50 грн
10+111.05 грн
100+68.51 грн
500+54.48 грн
1000+50.11 грн
2000+47.51 грн
4000+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF INFN-S-A0012813949-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH6200TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 3662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+175.97 грн
10+107.72 грн
100+78.61 грн
500+60.63 грн
1000+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.