Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH6200TRPBF
IRFH6200TRPBF

IRFH6200TRPBF Infineon Technologies

irfh6200pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e9b131ed0 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH6200TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 750 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFH6200TRPBF за ціною від 43.74 грн до 182.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh6200-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh6200-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh6200-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+66.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : INFINEON irfh6200pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e9b131ed0 Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 750 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.72 грн
500+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh6200-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
340+89.80 грн
500+80.82 грн
1000+74.54 грн
Мінімальне замовлення: 340
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh6200-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
340+89.80 грн
500+80.82 грн
1000+74.54 грн
Мінімальне замовлення: 340
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFH6200-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 20V SINGLE N-CH 1.2mOhms 155nC
на замовлення 22710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.33 грн
10+97.83 грн
100+62.86 грн
500+52.39 грн
1000+48.93 грн
2000+45.32 грн
4000+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh6200pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e9b131ed0 Description: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
на замовлення 5258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.75 грн
10+103.35 грн
100+70.43 грн
500+52.86 грн
1000+51.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : INFINEON irfh6200pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e9b131ed0 Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 750 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+171.43 грн
10+117.38 грн
100+79.72 грн
500+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh6200-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+182.20 грн
105+116.32 грн
116+105.74 грн
200+76.87 грн
500+66.52 грн
1000+55.44 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF
Код товару: 150522
Додати до обраних Обраний товар

irfh6200pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e9b131ed0 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh6200-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh6200-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh6200-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh6200pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e9b131ed0 IRFH6200TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.