IRFH7004TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.25 грн |
| 10+ | 48.55 грн |
| 25+ | 41.66 грн |
| 100+ | 39.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH7004TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFH7004TRPBF за ціною від 41.78 грн до 148.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFH7004TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 62.35 грн |
| IRFH7004TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 62.65 грн |
| IRFH7004TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 188+ | 75.38 грн |
| 190+ | 74.63 грн |
| 213+ | 66.60 грн |
| 250+ | 55.67 грн |
| IRFH7004TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.35 грн |
| 10+ | 73.99 грн |
| 100+ | 56.76 грн |
| 500+ | 47.09 грн |
| 1000+ | 43.76 грн |
| 2000+ | 41.78 грн |
| IRFH7004TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 148.64 грн |
| 11+ | 75.38 грн |
| 25+ | 74.63 грн |
| 100+ | 64.22 грн |
| 250+ | 51.55 грн |




