IRFH7004TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 52.06 грн |
| 10+ | 44.94 грн |
| 25+ | 38.55 грн |
| 100+ | 36.79 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH7004TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH7004TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 156W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm.
Інші пропозиції IRFH7004TRPBF за ціною від 40.73 грн до 149.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 13884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 7730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFH7004TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFH7004TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7004TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFH7004TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 13884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 252+ | 56.73 грн |
| IRFH7004TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 62.91 грн |
| IRFH7004TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 63.20 грн |
| IRFH7004TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 188+ | 76.06 грн |
| 190+ | 75.30 грн |
| 213+ | 67.19 грн |
| 250+ | 56.17 грн |
| IRFH7004TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 93.12 грн |
| IRFH7004TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 367+ | 97.27 грн |
| 500+ | 87.55 грн |
| 1000+ | 80.73 грн |
| IRFH7004TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 367+ | 97.27 грн |
| 500+ | 87.55 грн |
| 1000+ | 80.73 грн |
| IRFH7004TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 367+ | 97.27 грн |
| 500+ | 87.55 грн |
| 1000+ | 80.73 грн |
| IRFH7004TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 367+ | 97.27 грн |
| 500+ | 87.55 грн |
| 1000+ | 80.73 грн |
| IRFH7004TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.41 грн |
| 10+ | 72.13 грн |
| 100+ | 55.33 грн |
| 500+ | 45.91 грн |
| 1000+ | 42.66 грн |
| 2000+ | 40.73 грн |
| IRFH7004TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 149.96 грн |
| 11+ | 76.06 грн |
| 25+ | 75.30 грн |
| 100+ | 64.79 грн |
| 250+ | 52.01 грн |
| IRFH7004TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7004TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
Description: INFINEON - IRFH7004TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






