IRFH7004TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 42.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH7004TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH7004TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFH7004TRPBF за ціною від 42.57 грн до 122.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH7004TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 13884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7004TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH7004TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 100A 1.4mOhm HEXFET 156W 134nC |
на замовлення 4129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7004TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH7004TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7004TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7004TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7004TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7004TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7004TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7004TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 7730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7004TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH7004TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7004TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH7004TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH7004TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |