Інші пропозиції IRFH7084TRPBF за ціною від 41.73 грн до 165.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFH7084TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFH7084TRPBF | Infineon Technologies |
IRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFH7084TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFH7084TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N-CH 40V 100A PQFN |
на замовлення 20425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFH7084TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFH7084TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 25 V |
на замовлення 8924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFH7084TRPBF | Infineon Technologies |
IRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFH7084TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 45.96 грн |
| IRFH7084TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
IRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 67.79 грн |
| 25+ | 67.11 грн |
| 100+ | 52.63 грн |
| IRFH7084TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 68.99 грн |
| 500+ | 48.72 грн |
| 1000+ | 43.63 грн |
| 5000+ | 41.73 грн |
| IRFH7084TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N-CH 40V 100A PQFN
MOSFETs MOSFET N-CH 40V 100A PQFN
на замовлення 20425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 160.35 грн |
| 10+ | 103.75 грн |
| 100+ | 61.25 грн |
| 500+ | 52.09 грн |
| 1000+ | 47.86 грн |
| 2000+ | 46.52 грн |
| 4000+ | 44.40 грн |
| IRFH7084TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 163.64 грн |
| 10+ | 99.50 грн |
| 100+ | 68.99 грн |
| 500+ | 48.72 грн |
| 1000+ | 43.63 грн |
| 5000+ | 41.73 грн |
| IRFH7084TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 25 V
на замовлення 8924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.72 грн |
| 10+ | 102.47 грн |
| 100+ | 69.72 грн |
| 500+ | 52.29 грн |
| 1000+ | 48.07 грн |
| 2000+ | 47.44 грн |
| IRFH7084TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
IRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






