IRFH7085TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 60.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH7085TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFH7085TRPBF за ціною від 48.54 грн до 198.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH7085TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V |
на замовлення 4783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet |
на замовлення 2115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7085TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRFH7085TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 147A; 156W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 147A Power dissipation: 156W Case: PQFN8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 110nC On-state resistance: 3.6mΩ |
товару немає в наявності |