IRFH7085TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH7085TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFH7085TRPBF за ціною від 54.49 грн до 199.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFH7085TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFH7085TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFH7085TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFH7085TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFH7085TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFH7085TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PQFNInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFH7085TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFH7085TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet |
на замовлення 2115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFH7085TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, QFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFH7085TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7085TRPBF | Infineon |
|
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFH7085TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 63.65 грн |
| 8000+ | 63.12 грн |
| IRFH7085TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 63.93 грн |
| 8000+ | 63.40 грн |
| IRFH7085TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 284+ | 124.10 грн |
| 500+ | 111.69 грн |
| 1000+ | 103.01 грн |
| IRFH7085TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 284+ | 124.10 грн |
| 500+ | 111.69 грн |
| 1000+ | 103.01 грн |
| 10000+ | 88.55 грн |
| IRFH7085TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 284+ | 124.10 грн |
| 500+ | 111.69 грн |
| 1000+ | 103.01 грн |
| IRFH7085TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 180.12 грн |
| 10+ | 105.25 грн |
| 100+ | 83.62 грн |
| 500+ | 63.55 грн |
| 1000+ | 57.22 грн |
| 2000+ | 54.49 грн |
| IRFH7085TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 71+ | 199.50 грн |
| 105+ | 134.87 грн |
| 113+ | 124.57 грн |
| 200+ | 98.44 грн |
| 500+ | 86.13 грн |
| 1000+ | 70.57 грн |
| 2000+ | 64.75 грн |
| IRFH7085TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet
MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFH7085TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFH7085TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFH7085TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





