Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS > IRFH7110TRPBF
IRFH7110TRPBF

IRFH7110TRPBF ROCHESTER ELECTRONICS

IRFH7110PbF.pdf Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFH7110TRPBF - IRFH7110 100V SINGLE N-CHANNEL HEXFET P
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
535+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 535
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH7110TRPBF ROCHESTER ELECTRONICS

Description: MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFH7110TRPBF за ціною від 56.34 грн до 660.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH7110TRPBF IRFH7110TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh7110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
474+67.88 грн
526+61.10 грн
1000+56.34 грн
Мінімальне замовлення: 474
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7110TRPBF IRFH7110TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRFH7110PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+660.84 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7110TRPBF IRFH7110TRPBF Виробник : Infineon / IR irfh7110pbf-1227369.pdf MOSFET MOSFET, 100V, 58A 13.5 mOhm, 58 nC Qg
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7110TRPBF IRFH7110PbF.pdf IRFH7110TRPBF Транзисторы
на замовлення 104 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7110TRPBF IRFH7110TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRFH7110PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.