Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > IRFH7194TRPBF
IRFH7194TRPBF

IRFH7194TRPBF International Rectifier

IRSD-S-A0000032590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH7194TRPBF International Rectifier

Description: HEXFET POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRFH7194TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFH7194TRPBF IRFH7194TRPBF Infineon / IR Infineon_IRFH7194_DataSheet_v01_01_EN-1228246.pdf MOSFET HEXFET 100V N CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7194TRPBF IRFH7194TRPBF INFINEON 2255699.pdf Description: INFINEON - IRFH7194TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0137 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 35
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: FastIRFET HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0137
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7194TRPBF IRFH7194TRPBF INFINEON 2255699.pdf Description: INFINEON - IRFH7194TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0137 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 35
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: FastIRFET HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0137
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7194TRPBF Infineon_IRFH7194_DataSheet_v01_01_EN-1228246.pdf
IRFH7194TRPBF
Виробник: Infineon / IR
MOSFET HEXFET 100V N CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7194TRPBF 2255699.pdf
IRFH7194TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7194TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0137 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 35
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: FastIRFET HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0137
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7194TRPBF 2255699.pdf
IRFH7194TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7194TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0137 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 35
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: FastIRFET HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0137
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.